[發明專利]顯示單元、其制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201410144829.9 | 申請日: | 2014-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN104112762A | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發明(設計)人: | 藤井拓磨;藤岡弘文;前川達也;西川智孝 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 單元 制造 方法 以及 電子設備 | ||
背景技術
本發明涉及包括用于每個像素的有機發光層的顯示單元、制造該顯示單元的方法以及包括這樣顯示單元的電子設備。
近年來,在實現圖像顯示的顯示單元領域中,已經開發了采用電流驅動類型的發光元件的顯示單元,例如,有機電致發光(Electro?Luminescence,EL)元件,在電流驅動類型的發光元件的發光亮度根據流動的電流值變化,并且已經得到商業化推廣。與液晶元件等不同,有機EL元件是自發光元件。因此,在采用有機EL元件的顯示單元(有機EL顯示單元)中,光源(背光)是不需要的,并且因此,與需要光源的液晶顯示單元相比,可以更容易實現薄體和高亮度。
將有機EL顯示單元的EL發光的取出方式包括通過支撐基板取出EL發光的底部發光式和將EL發光取出到支撐基板相對側的頂部發光式。在有源矩陣型底部發光式有機EL顯示單元中,妨礙EL發光的諸如薄膜晶體管(TFT)之類的電路設置在有機發光元件下方,并且因此,不大可能能夠保障足夠的開口率,并且不大可能改善光利用率。相反,在頂部發光式有機EL顯示單元中,EL發光提取到支撐基板的相對側,并且因此,開口率不會受到設置在支撐基板上的電路的影響,并且獲得很高的光利用率。
在頂部發光式有機EL顯示單元中,采用透光導電膜作為光提取側的電極。在有機矩陣型顯示單元的情況下,在整個像素區域中形成導電膜。因為導電膜的電阻與通常的金屬材料的電阻相比非常高,由此容易產生由電壓降導致的顯示上的不均衡。因此,例如,如日本未審查專利申請公開No.2002-318566(JP2002-318566A)中所述,具有低電阻的多個輔助配線設置在整個像素區域中,并且這樣的輔助配線電連接到導電膜。
發明內容
例如,如JP2002-318566A中所述,作為將導電膜電連接到輔助配線的方法,可預期這樣的方法,其中輔助配線的頂表面的一部分設定到接觸區域,并且導電膜形成在該接觸區域上。在此情況下,為了保證接觸區域和導電膜之間的電連接,必須將有機發光層的形成區域設置在遠離接觸區域的位置,使得在形成導電膜的工藝前形成有機發光層的工藝中不將有機發光層形成在接觸區域上。然而,在此情況下,存在的缺點是有機發光層的形成區域減小了尺寸,并且減小了開口率。
為了解決前述缺點,例如,在日本未審查專利申請公開No.2007-73323(JP2007-73323A)和No.2007-103098(JP2007-103098A)中,描述了這樣的情況,其中通過完整地形成有機發光層然后去除其一部分而形成接觸區域。然而,在此情況下,存在的缺點是由于有機發光層的去除工藝中的殘留物而降低了成品率。
希望提供一種顯示單元,其中使得可以不采用去除有機發光層的工藝而形成接觸區域,并且使得可以增加開口率,還希望提供一種制造該顯示單元的方法以及一種包括這樣顯示單元的電子設備。
根據本發明的一個實施例,所提供的顯示單元包括:多個第一電極;金屬構件,設置在第一電極周圍;絕緣層,具有在第一電極的對應一個上的第一開口和在金屬構件上的第二開口;有機發光層,設置在包括第一開口的底部表面的表面但不包括第二開口的全部或部分底部表面的表面上;分隔壁,設置為至少與第二開口的底部表面的一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸,分隔壁形成的工藝與絕緣層的形成工藝不同;以及第二電極,設置為與接觸區域接觸且與有機發光層中的第一開口的底部表面之上的一部分接觸,接觸區域是第二開口的底部表面的一部分。
根據本發明的實施例,提供了一種具有顯示單元的電子設備。該顯示單元包括:多個第一電極;金屬構件,設置在第一電極周圍;絕緣層,具有在第一電極的對應一個上的第一開口和在金屬構件上的第二開口;有機發光層,設置在包括第一開口的底部表面但不包括第二開口的全部或部分底部表面的表面上;分隔壁設置為至少與第二開口的底部表面的一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸,其中分隔壁形成的工藝與絕緣層的形成工藝不同;以及第二電極,設置為與接觸區域接觸且與有機發光層中第一開口的底部表面之上的一部分接觸,其中接觸區域是第二開口的底部表面的一部分。
在根據本發明上述實施例的顯示單元和電子設備中,分隔壁設置為至少與金屬構件上第二開口的底部表面的一部分以及絕緣層中的絕緣層接觸。因此,例如,通過由氣相沉積法(例如蒸發法)形成有機發光層,使得有機發光層可以形成在包括第一開口的底部表面的表面上,而接觸區域形成在分隔壁之后(被隱藏在后)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





