[發明專利]顯示單元、其制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201410144829.9 | 申請日: | 2014-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN104112762A | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發明(設計)人: | 藤井拓磨;藤岡弘文;前川達也;西川智孝 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 單元 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種顯示單元,包括:
多個第一電極;
金屬構件,設置在該第一電極周圍;
絕緣層,具有在該第一電極的對應一個上的第一開口和在該金屬構件上的第二開口;
有機發光層,設置在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的底部表面的全部或一部分的表面上;
分隔壁,設置為至少與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕緣層接觸,該分隔壁在與該絕緣層的形成工藝不同的工藝中形成;以及
第二電極,設置為與接觸區域接觸且與該有機發光層中該第一開口的該底部表面之上的部分接觸,該接觸區域是該第二開口的該底部表面的一部分。
2.根據權利要求1所述的顯示單元,其中該分隔壁與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層二者接觸。
3.根據權利要求2所述的顯示單元,其中該第一開口的側表面以大于該分隔壁的側表面傾斜的程度傾斜。
4.根據權利要求2所述的顯示單元,其中該分隔壁形成為在平面上在約180度至小于約360的值的范圍圍繞該接觸區域的一部分。
5.根據權利要求2所述的顯示單元,其中該分隔壁包括在平面方向上不成180度的兩個方向上突出的凸起部分。
6.根據權利要求2所述的顯示單元,其中該分隔壁設置為在平面上與該第一電極的對應的一個相對且其間具有該接觸區域。
7.根據權利要求6所述的顯示單元,其中
該有機發光層具有在該多個第一電極之上的臺階以及在列方向上連續形成的條狀的形狀,并且
該接觸區域和該分隔壁設置在列方向上彼此相鄰的該多個第一電極中的兩個第一電極之間的間隙中。
8.根據權利要求2所述的顯示單元,其中該第二電極由包含Ca和Li之一或二者的透光導電材料制成。
9.根據權利要求2所述的顯示單元,其中該接觸區域離該分隔壁的側壁越遠越向下傾斜。
10.一種設置有顯示單元的電子設備,該顯示單元包括:
多個第一電極;
金屬構件,設置在該第一電極周圍;
絕緣層,具有在該第一電極的對應一個上的第一開口和在該金屬構件上的第二開口;
有機發光層,設置在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的底部表面的全部或一部分的表面上;
分隔壁,設置為至少與該第二開口的該底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕緣層接觸,該分隔壁在與該絕緣層的形成工藝不同的工藝中形成;以及
第二電極,設置為與接觸區域接觸,并且與該有機發光層中的該第一開口的該底部表面之上的一部分接觸,該接觸區域是該第二開口的該底部表面的一部分。
11.一種制造顯示單元的方法,該方法包括:
形成絕緣層,該絕緣層具有在多個第一電極的對應一個上的第一開口和在金屬構件上的第二開口,該金屬構件設置在該第一電極周圍;
通過氣相擴散法形成分隔壁,該分隔壁至少與該第二開口的底部表面的一部分以及該絕緣層中的該絕緣層接觸;
通過氣相沉積法在包括該第一開口的底部表面但不包括該第二開口的該底部表面的全部或部分的表面上形成有機發光層;以及
通過氣相沉積法形成第二電極,其中與形成該有機發光層所用的該氣相沉積法相比減小了入射角的偏斜,該第二電極與接觸區域接觸且與該有機發光層中該第一開口的該底部表面之上的部分接觸,該接觸區域是該第二開口的該底部表面的一部分。
12.根據權利要求11所述的制造顯示單元的方法,其中
該分隔壁的側表面為倒錐形,并且
該有機發光層的材料的主入射角設定為在形成該有機發光層中垂直于該金屬構件。
13.根據權利要求11所述的制造顯示單元的方法,其中
該分隔壁的側表面為錐形或豎直的,并且
該有機發光層的材料的主入射角設定為在形成該有機發光層中相對于該金屬構件傾斜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





