[發(fā)明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410142538.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104241391B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜一俊;曹煐美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/221
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王峰;王珍仙

本發(fā)明涉及薄膜晶體管。所述薄膜晶體管包括在基板上布置的柵電極；在所述基板上布置的柵絕緣層；在所述基板上布置的半導(dǎo)體層，所述柵絕緣層被配置為使所述半導(dǎo)體層和所述柵電極彼此絕緣；在所述基板上布置的源電極；以及在所述基板上布置的漏電極。所述氧化物半導(dǎo)體包括鋅（Zn）、錫（Sn），以及Ag和Au的至少一種。在薄膜晶體管的Zn?Sn?O半導(dǎo)體層中Ag和/或Au的使用可以提高該薄膜晶體管的電子遷移率。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2013年6月21日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2013-0071949的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)為所有目的通過(guò)引用并入本文，如同其在本文中闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及氧化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體薄膜以及包含該氧化物半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管，更具體地，涉及包含鋅和錫的氧化物半導(dǎo)體、包含鋅和錫的氧化物半導(dǎo)體薄膜以及包含該氧化物半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管。

背景技術(shù)

氧化物半導(dǎo)體通常比非晶硅半導(dǎo)體表現(xiàn)更大的電子遷移率。為此，低溫工藝通常對(duì)氧化物半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)比對(duì)多晶硅半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)更容易執(zhí)行。此外，氧化物半導(dǎo)體通常對(duì)可見(jiàn)光透明，因此多種電子設(shè)備（如薄膜晶體管）使用氧化物半導(dǎo)體。

在各種氧化物半導(dǎo)體（例如銦氧化物（In₂O₃）半導(dǎo)體、氧化鋅銦（Zn-In-O）半導(dǎo)體、氧化銦鎵（In-Ga-O）半導(dǎo)體、氧化銦鋅（In-Zn-O）半導(dǎo)體、氧化銦鎵鋅（In-Ga-Zn-O）半導(dǎo)體等）中的銦（In）離子，通常表現(xiàn)在認(rèn)為影響（例如提高）這樣的氧化物半導(dǎo)體的電子遷移率的最外面或5s的軌道的電子分布。然而，需注意的是，由于氧化物半導(dǎo)體通常使用稀土金屬（例如，銦（In）），所以包含銦的氧化物半導(dǎo)體的成本相對(duì)高于其它形式的半導(dǎo)體。

氧化鋅錫（Zn-Sn-O）半導(dǎo)體使用地球上相對(duì)豐富的錫（Sn），因此通常比包含稀土金屬的氧化物半導(dǎo)體成本更低。因此，Zn-Sn-O半導(dǎo)體可以比包含銦的氧化物半導(dǎo)體表現(xiàn)更好的可靠性。然而，需注意的是，Zn-Sn-O半導(dǎo)體可以表現(xiàn)比包含銦的氧化物半導(dǎo)體更低的電子遷移率。因此，存在對(duì)具有較高的電子遷移率的Zn-Sn-O半導(dǎo)體的需要。

在本背景技術(shù)部分中公開(kāi)的上述信息僅用于加深對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，因此它可包含這個(gè)國(guó)家中對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)沒(méi)有形成為已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供了具有相對(duì)高的電子遷移率的Zn-Sn-O半導(dǎo)體薄膜。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供了包含具有相對(duì)高的電子遷移率的Zn-Sn-O半導(dǎo)體的薄膜晶體管。

本發(fā)明的其它方面將在下面的詳細(xì)說(shuō)明中闡述，并且在某種程度上將由本公開(kāi)而變得明顯，或者可以通過(guò)實(shí)施發(fā)明構(gòu)思來(lái)領(lǐng)會(huì)。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，氧化物半導(dǎo)體包括鋅（Zn）和錫（Sn），以及Ag和Au中至少一種元素（M）。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，薄膜包括鋅（Zn）和錫（Sn），以及Ag和Au中至少一種元素（M）。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，薄膜晶體管包括在基板上布置的柵電極、在所述基板上布置的柵絕緣層、在所述基板上布置的半導(dǎo)體層、在所述基板上布置的源電極和在所述基板上布置的漏電極，所述柵絕緣層被配置為使所述半導(dǎo)體層和所述柵電極彼此絕緣。所述半導(dǎo)體層包括鋅（Zn）和錫（Sn），以及Ag和Au中至少一種元素（M）。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，Zn-Sn-O中的Ag和/或Au的使用可以提高生成的組合物的電子遷移率。為此，在薄膜晶體管的Zn-Sn-O半導(dǎo)體層中Ag和/或Au的使用可以提高該薄膜晶體管的電子遷移率。

上面的概括描述和下面的詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在提供所要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步說(shuō)明。

附圖說(shuō)明