[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201410142538.6
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN104241391B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 姜一俊;曹煐美
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/221
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 王峰;王珍仙

1.一種薄膜晶體管，包括：

在基板上布置的柵電極；

在所述基板上布置的柵絕緣層；

在所述基板上布置的半導體層，所述柵絕緣層被配置為使所述半導體層和所述柵電極彼此絕緣；

在所述基板上布置的源電極；以及

在所述基板上布置的漏電極，

其中所述半導體層包括：

鋅Zn，

錫Sn，以及

Ag和Au中的至少一種元素M，

其中所述半導體層中的有效電子質量在0.220m₀至0.244m₀的范圍內，其中m₀＝9.11×10^-31kg。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層布置在所述柵電極上。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述柵電極布置在所述半導體層上。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述源電極和所述漏電極布置在所述半導體層上。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層布置在所述源電極和所述漏電極各自的至少部分上。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中M/(Zn+Sn+M)的原子比在1原子％至16原子％的范圍內。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中Zn對Sn的原子比Zn:Sn在1:1至2:1的范圍內。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層是n型半導體層。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述元素M是Ag。

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述元素M是Au。