[發明專利]可降低反射視效的觸控結構及其方法有效
| 申請號: | 201410139262.6 | 申請日: | 2014-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN103995611B | 公開(公告)日: | 2017-02-01 |
| 發明(設計)人: | 吳錫堯;羅文凱 | 申請(專利權)人: | 業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;G06F3/042 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 降低 反射 結構 及其 方法 | ||
【技術領域】
本發明涉及一種觸控感應結構及其方法,尤其涉及一種可降低SITO架橋反射視效的觸控感應結構及其方法。
【背景技術】
隨著半導體與電路設計的技術進步,觸控面板逐漸成為最主要的輸入界面,被廣泛應用在各種電子產品中,例如手機、個人數字助理(PDA)或掌上型個人計算機等,使用上僅需以手指輕壓觸控面板即可閱讀信息或輸入信息,可取代傳統電子裝置上的按鍵和鍵盤,為人類帶來生活上的便利性。
于觸控面板結構持續簡化以利于模塊整合加速的需求下,觸控產業走向單層觸控結構與內嵌式(In-cell)觸控結構。傳統的單層觸控面板中,請同時參閱圖1及圖2,圖1為現有技術的結構示意圖,圖2為圖1沿B-B’剖線的剖視放大圖。使用的觸控感測組件可包含復數條排列成行的行感測電極30以及復數條排列成列的列感測電極32,在這些排列成行的行感測電極30與排列成列的列感測電極32的交錯處設置一絕緣塊34,以避免排列成行的行感測電極30與排列成列的列感測電極32之間發生短路。在排列成行的列感測電極可由復數個互相連接的導電單元組成,而排列成列的列感測電極則由復數個互相分開的導電單元組成,這些互相分開的導電單元再藉由橫跨在絕緣塊34上的導電架橋36的結構進行電性連接。
其中,導電架橋36的材料主要還是使用氧化銦錫(ITO)、金屬或其他替代的可導電材料。由于ITO的透明度佳,但導電性較差,容易造成電性連接作用失效或不良,進而發生感測電極斷路(open)或阻值異常,或者因感測電極的抗靜電能力變差,造成觸控面板的觸控功能失效或不良等問題。金屬材料則透明度差、易反光,但導電性較佳,也因為透明度差容易反光,故易于被人眼發現的缺點,使得金屬材料應用于觸控面板結構的接受度仍無法普及。因此,如何改善架橋反光效應以及提高觸控靈敏度是亟待解決的問題。
有鑒于此,本發明遂針對上述現有技術的缺失,提出一種可降低反射視效的觸控感應結構及其制作方法,以有效克服上述之該等問題。
【發明內容】
本發明的主要目的在于提供一種可降低反射視效的觸控感應結構及其制作方法,其利用金屬架橋導線的低阻抗優點來增加觸控靈敏度,并透過新穎的架橋結構來降低反射視效的問題。
本發明的次要目的在于提供一種可降低反射視效的觸控感應結構及其制作方法,其適用于各種尺寸的觸控感應結構,可增加產業應用性。
本發明的次要目的在于提供一種可降低反射視效的觸控感應結構及其制作方法,其可視需求調整噴印溶液固含量來調整每層結構厚度,使制程更具彈性。
為達以上的目的,本發明提供一種可降低反射視效的觸控感應結構,包括一透明基板,其表面設有復數個第一軸向感應組件、復數個導電架橋單元及復數個第二軸向感應組件,此些第一軸向感應組件利用此些導電架橋單元跨接于此些第二軸向感應組件形成縱橫交錯的感應區。每一導電架橋單元包含至少一絕緣反射層、二透明絕緣層及一金屬導電層;絕緣反射層設于每一第一軸向感應組件與每一第二軸向感應組件的交錯位置上,二透明絕緣層分別設于絕緣反射層的兩側,金屬導電層設于絕緣反射層上,以電性連接此些第一軸向感應組件。
該絕緣反射層可為復數層絕緣反射層,當該絕緣反射層為復數層結構時,以不同折射率匹配堆棧而成,以降低金屬反光的情況。
該二透明絕緣層以噴印方式形成于該第一軸向感應組件與該第二軸向感應組件的交錯位置上,且該二透明絕緣層的厚度介于0.5微米~5微米。
該絕緣反射層以噴印方式形成于該二透明絕緣層之間,且該絕緣反射層的厚度介于0.5微米~5微米。
該金屬導電層以噴印方式形成于該絕緣反射層上,且該金屬導電層的厚度介于0.5微米~5微米。
該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.3~2.0。
該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.62~2。
本發明提供另一種可降低反射視效的觸控感應的制作方法,包括下列步驟:形成縱橫交錯的復數個第一軸向感應組件及復數個第二軸向感應組件的感應區于一透明基板上;噴印二透明絕緣層形成于每一第一軸向感應組件與每一第二軸向感應線組件的交錯位置上;噴印至少一絕緣反射層形成于二透明絕緣層之間,且位于第一軸向感應組件與第二軸向感應組件的交錯位置上;及噴印一金屬導電層形成于絕緣反射層上。
該二透明絕緣層、該絕緣反射層及該金屬導電層的厚度介于0.5微米~5微米。
該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.3~2.0。
該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.62~2。
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