[發明專利]可降低反射視效的觸控結構及其方法

有效

• 申請號: 201410139262.6
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN103995611B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 吳錫堯;羅文凱
• 申請（專利權）人: 業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/042
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所44287
• 代理人: 胡海國

1.一種可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是，包括：

一透明基板，其表面設有復數個第一軸向感應組件、復數個導電架橋單元及復數個第二軸向感應組件，該些第一軸向感應組件利用該些導電架橋單元跨接于該些第二軸向感應組件形成縱橫交錯的感應區，每一該導電架橋單元包含：

至少一絕緣反射層，設于每一該第一軸向感應組件與每一該第二軸向感應組件的交錯位置上；

二透明絕緣層，分別設于該絕緣反射層的兩側；及

一金屬導電層，設于該絕緣反射層上，以電性連接該些第一軸向感應組件。

2.如權利要求1所述的可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是：該絕緣反射層可為復數層絕緣反射層，當該絕緣反射層為復數層結構時，以不同折射率匹配堆棧而成，以降低金屬反光的情況。

3.如權利要求1所述的可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是：該二透明絕緣層以噴印方式形成于該第一軸向感應組件與該第二軸向感應組件的交錯位置上，且該二透明絕緣層的厚度介于0.5微米～5微米。

4.如權利要求1所述的可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是：該絕緣反射層以噴印方式形成于該二透明絕緣層之間，且該絕緣反射層的厚度介于0.5微米～5微米。

5.如權利要求1所述的可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是：該金屬導電層以噴印方式形成于該絕緣反射層上，且該金屬導電層的厚度介于0.5微米～5微米。

6.如權利要求1所述的可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是：該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.3～2.0。

7.如權利要求1所述的可降低反射視效的觸控感應結構，其特征是：該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.62～2。

8.一種可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是，包括下列步驟：

形成縱橫交錯的復數個第一軸向感應組件及復數個第二軸向感應組件的感應區于一透明基板上；

噴印二透明絕緣層形成于每一該第一軸向感應組件與每一該第二軸向感應線組件的交錯位置上；

噴印至少一絕緣反射層形成于該二透明絕緣層之間，且位于該第一軸向感應組件與該第二軸向感應組件的交錯位置上；及

噴印一金屬導電層形成于該絕緣反射層上。

9.如權利要求8所述的可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是：該二透明絕緣層、該絕緣反射層及該金屬導電層的厚度介于0.5微米～5微米。

10.如權利要求8所述的可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是：該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.3～2.0。

11.如權利要求8所述的可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是：該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.62～2。

12.一種可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是，包括下列步驟：

形成縱橫交錯的復數個第一軸向感應組件及復數個第二軸向感應組件的感應區于一透明基板上；

噴印至少一絕緣反射層形成于每一該第一軸向感應組件與每一該第二軸向感應組件的交錯位置上；

噴印二透明絕緣層分別形成于該絕緣反射層兩側，且位于該每一該第一軸向感應組件與每一該第二軸向感應組件的交錯位置上；及

噴印一金屬導電層形成于該絕緣反射層上。

13.如權利要求12所述的可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是：該二透明絕緣層、該絕緣反射層及該金屬導電層的厚度介于0.5微米～5微米。

14.如權利要求12所述的可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是：該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.3～2.0。

15.如權利要求12所述的可降低反射視效的觸控感應的制作方法，其特征是：該二透明絕緣層的材質折射率范圍為1.62～2。