[發(fā)明專利]芯片缺陷的檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410138986.9
• 申請(qǐng)日: 2014-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN103915361A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何理;許向輝;郭賢權(quán);陳超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種芯片缺陷的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的資料存儲(chǔ)量以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片向更高集成度方向發(fā)展。半導(dǎo)體芯片的集成度越高，其制造的過(guò)程也變得越發(fā)復(fù)雜，目前先進(jìn)的集成電路制造工藝一般都包含幾百個(gè)工藝步驟，因此，其中的一個(gè)步驟出現(xiàn)問(wèn)題就會(huì)引起整個(gè)半導(dǎo)體芯片的問(wèn)題，其表現(xiàn)為集成電路的性能未能達(dá)到設(shè)計(jì)要求，嚴(yán)重的還可能導(dǎo)致整個(gè)芯片的失效。

所以，在集成電路的制造過(guò)程中及時(shí)地發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品制造工藝中存在的問(wèn)題就顯得尤為重要。為了在生產(chǎn)過(guò)程中及時(shí)檢出缺陷，業(yè)界一般都采用高靈敏度的光學(xué)檢測(cè)設(shè)備對(duì)產(chǎn)品的缺陷進(jìn)行檢測(cè)。

利用光學(xué)檢測(cè)設(shè)備對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行缺陷檢測(cè)的基本過(guò)程如下：首先，通過(guò)光學(xué)顯微鏡獲取被檢測(cè)產(chǎn)品的光學(xué)圖像；然后，對(duì)所述光學(xué)圖像進(jìn)行轉(zhuǎn)化，使其成為由不同亮暗灰階表示的數(shù)據(jù)圖像；接著，對(duì)產(chǎn)品上相鄰芯片的數(shù)據(jù)圖像進(jìn)行對(duì)比，得到檢測(cè)結(jié)果。

可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的檢測(cè)方法是根據(jù)產(chǎn)品中相鄰的芯片之間的差異性，來(lái)發(fā)現(xiàn)缺陷的。但是該方法在集成度非常高的產(chǎn)品中并不能將產(chǎn)品上的芯片缺陷完全檢測(cè)出來(lái)，其檢出率較差。檢出率較差的原因在于，缺陷是根據(jù)相鄰的芯片之間是否存在差異而判斷的，若相鄰的芯片具有相同的缺陷，由于相鄰的芯片之間沒(méi)有差異，所以無(wú)法檢出缺陷。

例如，在集成電路的制造過(guò)程中經(jīng)常出現(xiàn)的光阻變形缺陷。引起光阻變形缺陷的原因是對(duì)光阻進(jìn)行顯影時(shí)芯片的一些特殊區(qū)域會(huì)出現(xiàn)光線反射，使得光阻圖形出現(xiàn)部分變形，導(dǎo)致在電路結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)光阻變形缺陷。請(qǐng)參考圖1，其為按照版圖設(shè)計(jì)的理想電路與出現(xiàn)光阻變形缺陷的實(shí)際電路的對(duì)照示意圖。如圖1所示，按照版圖設(shè)計(jì)的理想電路是沒(méi)有光阻變形缺陷B的，但是實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中芯片上會(huì)形成光阻變形缺陷B，而且所述光阻變形缺陷B會(huì)重復(fù)出現(xiàn)，包括相鄰位置重復(fù)出現(xiàn)。按照現(xiàn)有的檢測(cè)方法無(wú)法檢出相鄰位置重復(fù)出現(xiàn)的光阻變形缺陷。

因此，如何解決現(xiàn)有的檢測(cè)方法檢出率低的問(wèn)題成為當(dāng)前亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種芯片缺陷的檢測(cè)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片缺陷的檢測(cè)方法檢出率低的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種芯片缺陷的檢測(cè)方法，所述芯片缺陷的檢測(cè)方法包括：

將芯片版圖劃分成多個(gè)版圖單元圖形；

提供一制備有多個(gè)芯片的待測(cè)晶圓；

對(duì)所述待測(cè)晶圓進(jìn)行掃描并根據(jù)所述多個(gè)版圖單元圖形分別提取所述多個(gè)芯片的物理單元圖形；

將所述物理單元圖形與相應(yīng)的版圖單元圖形進(jìn)行比對(duì)，以得到檢測(cè)結(jié)果。

優(yōu)選的，在所述的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，所述芯片版圖按照橫向和縱向分別進(jìn)行劃分。

優(yōu)選的，在所述的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，所述芯片版圖在橫向和縱向均進(jìn)行等距離劃分。

優(yōu)選的，在所述的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，所述芯片版圖在橫向和縱向的等份均在10到100之間。

優(yōu)選的，在所述的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，在提供一制備有多個(gè)芯片的待測(cè)晶圓之前，在將芯片版圖劃分成多個(gè)版圖單元圖形之后，還包括將所述多個(gè)版圖單元圖形均導(dǎo)入缺陷檢測(cè)設(shè)備。

優(yōu)選的，在所述的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，所述缺陷檢測(cè)設(shè)備為光學(xué)檢測(cè)設(shè)備。

優(yōu)選的，在所述的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，所述芯片缺陷的檢測(cè)方法用于檢測(cè)光阻變形缺陷。

在本發(fā)明提供的芯片缺陷的檢測(cè)方法中，通過(guò)將芯片版圖劃分成多個(gè)版圖單元圖形并以所述版圖單元圖形作為芯片缺陷檢測(cè)的基準(zhǔn)，避免因相鄰的芯片之間因具有相同的缺陷而無(wú)法檢出，從而提高了芯片缺陷檢測(cè)的成功率。

附圖說(shuō)明

圖1是按照版圖設(shè)計(jì)的理想電路與出現(xiàn)光阻變形缺陷的實(shí)際電路的對(duì)照示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的芯片缺陷的檢測(cè)方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的芯片版圖劃分成多個(gè)版圖單元圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的芯片缺陷的檢測(cè)方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例的芯片缺陷的檢測(cè)方法的流程圖。如圖1所示，所述芯片缺陷的檢測(cè)方法包括：

步驟S10：將芯片版圖10劃分成多個(gè)版圖單元圖形11；