[發明專利]芯片缺陷的檢測方法在審
| 申請號： | 201410138986.9 | 申請日： | 2014-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN103915361A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發明（設計）人： | 何理;許向輝;郭賢權;陳超 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 缺陷 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，包括：
將芯片版圖劃分成多個版圖單元圖形；
提供一制備有多個芯片的待測晶圓；
對所述待測晶圓進行掃描并根據所述多個版圖單元圖形分別提取所述多個芯片的物理單元圖形；
將所述物理單元圖形與相應的版圖單元圖形進行比對，以得到檢測結果。
2.如權利要求1所述的芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述芯片版圖按照橫向和縱向分別進行劃分。
3.如權利要求2所述的芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述芯片版圖在橫向和縱向均進行等距離劃分。
4.如權利要求3所述的芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述芯片版圖在橫向和縱向的等份均在10到100之間。
5.如權利要求1所述的芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，在提供一制備有多個芯片的待測晶圓之前，在將芯片版圖劃分成多個版圖單元圖形之后，還包括將所述多個版圖單元圖形均導入缺陷檢測設備。
6.如權利要求5所述的芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述缺陷檢測設備為光學檢測設備。
7.如權利要求1所述的芯片缺陷的檢測方法，其特征在于，所述芯片缺陷的檢測方法用于檢測光阻變形缺陷。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
