[發(fā)明專利]NOR閃存的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410137219.6
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN103904036A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周俊;黃建冬;洪齊元
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種優(yōu)化柵耦合系數(shù)的NOR閃存的制造方法。

背景技術(shù)

隨著便攜式電子設(shè)備的高速發(fā)展，對數(shù)據(jù)存儲的要求越來越高。通常，用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器，易失性存儲器易于在電源斷電時丟失數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器即使在電源中斷時仍可保持?jǐn)?shù)據(jù)。因此，非易失性存儲器成為便攜式電子設(shè)備中最主要的存儲部件，并已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用。

在非易失性存儲器中，閃存（flash?memory）由于其很高的芯片存儲密度，以及較佳的工藝適應(yīng)性，已經(jīng)成為一種極為重要的器件。通常閃存可以分為NAND閃存和NOR閃存。如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的NOR閃存的結(jié)構(gòu)示意圖。包括襯底10，淺溝槽隔離（STI）11，浮柵12、ONO層13及控制柵14。

NOR閃存的柵耦合系數(shù)是一個較為重要的參數(shù)，其主要取決于控制柵14和浮柵12之間的電容，電容越大，柵耦合系數(shù)越大，反之亦然。而控制柵14和浮柵12之間的電容大小，主要取決于ONO層13的厚度、介電常數(shù)以及控制柵14和浮柵12的包裹面積。目前，ONO層13的厚度均勻性和介電常數(shù)主要有ONO層13的工藝穩(wěn)定性決定，現(xiàn)有爐管工藝已經(jīng)成熟。因此，為了優(yōu)化柵耦合系數(shù)，就需要對控制柵14和浮柵12的包裹面積的均勻性加以改善。

如圖1所示，控制柵和浮柵的包裹面積主要由浮柵12的表面積和臺階覆蓋高度A構(gòu)成。浮柵的表面積由光刻和蝕刻工藝決定，而臺階覆蓋高度A的穩(wěn)定性是否能夠得到保證，就直接制約著柵耦合系數(shù)的優(yōu)劣。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種NOR閃存的制造方法，改善臺階覆蓋高度的穩(wěn)定性，優(yōu)化柵耦合系數(shù)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種NOR閃存的制造方法，包括：

提供前端結(jié)構(gòu)，所述前端結(jié)構(gòu)包括淺溝槽隔離和圖形化的浮柵；

利用干法刻蝕工藝對所述淺溝槽隔離進(jìn)行回刻，去除位于浮柵之間的部分；

形成ONO層及控制柵。

進(jìn)一步的，對于所述的NOR閃存的制造方法，所述干法刻蝕包括利用CH₂F₂進(jìn)行刻蝕。

進(jìn)一步的，對于所述的NOR閃存的制造方法，所述前端結(jié)構(gòu)還包括襯底，所述淺溝槽隔離部分位于襯底中，所述浮柵位于襯底上相鄰淺溝槽隔離之間。

進(jìn)一步的，對于所述的NOR閃存的制造方法，所述圖形化的浮柵形成過程包括：

在所述襯底上的淺溝槽隔離之間沉積浮柵多晶硅，所述浮柵多晶硅高于所述淺溝槽隔離；

利用平坦化工藝去除所

述浮柵多晶硅位于淺溝槽隔離之上的部分。

進(jìn)一步的，對于所述的NOR閃存的制造方法，所述平坦化工藝為采用化學(xué)機械研磨工藝。

進(jìn)一步的，對于所述的NOR閃存的制造方法，所述浮柵與襯底之間還包括一隧道氧化層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的NOR閃存的制造方法中，包括利用干法刻蝕工藝對所述淺溝槽隔離進(jìn)行回刻，然后生長ONO層和控制柵。相比現(xiàn)有技術(shù)，避免了利用濕法刻蝕工藝使得層與層的縫隙間被側(cè)向刻蝕而破壞整體形貌，從而能夠具有較佳的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，解決了柵耦合系數(shù)較差的問題。

附圖說明

圖1為一種現(xiàn)有技術(shù)中NOR閃存的示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例NOR閃存的制造方法的流程圖；

圖3-圖5為本發(fā)明實施例NOR閃存的制造方法的過程中器件結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的NOR閃存的制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細(xì)節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。