[發明專利]NOR閃存的制造方法在審
| 申請號： | 201410137219.6 | 申請日： | 2014-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN103904036A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 周俊;黃建冬;洪齊元 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nor 閃存 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種NOR閃存的制造方法，包括：
提供前端結構，所述前端結構包括淺溝槽隔離和圖形化的浮柵；
利用干法刻蝕工藝對所述淺溝槽隔離進行回刻，去除位于浮柵之間的部分；
形成ONO層及控制柵。
2.如權利要求1所述的NOR閃存的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕包括利用CH2F2進行刻蝕。
3.如權利要求2所述的NOR閃存的制造方法，其特征在于，所述前端結構還包括襯底，所述淺溝槽隔離部分位于襯底中，所述浮柵位于襯底上相鄰淺溝槽隔離之間。
4.如權利要求3所述的NOR閃存的制造方法，其特征在于，所述圖形化的浮柵形成過程包括：
在所述襯底上的淺溝槽隔離之間沉積浮柵多晶硅，所述浮柵多晶硅高于所述淺溝槽隔離；
利用平坦化工藝去除所述浮柵多晶硅位于淺溝槽隔離之上的部分。
5.如權利要求4所述的NOR閃存的制造方法，其特征在于，所述平坦化工藝為采用化學機械研磨工藝。
6.如權利要求3所述的NOR閃存的制造方法，其特征在于，所述浮柵與襯底之間還包括一隧道氧化層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
