[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410136424.0
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN104103618A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 岡部康寬
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術領域

本發明涉及具有電感器的半導體裝置。

背景技術

公知有如下半導體裝置：作為將電源電壓轉換為規定的動作電壓的電力轉換裝置具有DC-DC轉換器。關于這種半導體裝置，一般公知有在框架的主面側搭載有電感器（線圈）、IC芯片以及電容器的小型薄型的SON型半導體裝置（例如參照專利文獻1）。

專利文獻1：日本特開2007-318954號公報

但是，在這種以往的半導體裝置中，由于電感器和IC芯片（以下，簡稱為IC）為大致相同的大小并進行了層壓，因此電感器被設置成相比于框架安裝在半空，因此存在電感器中產生的電磁場到達框架的距離，有可能導致漏磁通增加，甚至是輻射噪聲增加。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供通過在電感器中產生的電磁場來抑制了輻射噪聲的增加的半導體裝置。

為了解決上述問題，本發明的半導體裝置的特征在于，該半導體裝置具有：引線框架；IC元件，其搭載于所述引線框架的主面側；電感器，其以緊貼的方式搭載于所述引線框架的背面側；以及樹脂體，其對所述引線框架、所述IC元件以及所述電感器進行樹脂密封，所述電感器與所述引線框架緊貼，所述電感器是強磁性體的八棱柱狀芯或圓柱狀芯，在與所述電感器的軸對應的位置配置所述IC元件，所述電感器與所述IC元件電連接，在所述電感器的端子之間配置有流過所述IC元件的主電流的配線。

根據本發明，能夠提供電感器與框架之間沒有距離并抑制了在電感器中產生的輻射噪聲的增加的半導體裝置。

附圖說明

圖1的（a）～（c）是分別說明本發明一個實施方式的半導體裝置的內部結構的主視圖、側視圖和后視圖。

圖2的（a）和（b）是說明本發明的本實施方式的外觀結構的半導體裝置的主視圖和側視圖。

圖3是示出本實施方式的半導體裝置的一個實施方式中、在MIC中設置了開關元件的例子的電路圖。

圖4是說明本實施方式的半導體裝置的內部配線的配置的圖。

圖5是詳細說明流過本實施方式的半導體裝置的內部的電流路徑的圖。

圖6是對本實施方式的半導體裝置與有關現有技術方式的半導體裝置的輻射噪聲數據進行了比較的測定數據。

標號說明

10：半導體裝置；12：電感器；12i：內周側；12m：主體；14：樹脂體；18：MIC（IC元件）；20：基板；22a～22c：電容器；P：軸（中心軸）；RM：引線框架。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。圖1的（a）～（c）是分別說明本發明一個實施方式（以下，稱為本實施方式）的半導體裝置的內部結構的主視圖、側視圖和后視圖。圖2的（a）和（b）是說明本實施方式的外觀結構的半導體裝置的主視圖和側視圖。

本實施方式的半導體裝置10是SIP型樹脂密封半導體裝置，是電感器內置型模塊（電感器內置型調節器）。

半導體裝置10由引線框架RM、作為電子部件而搭載于引線框架RM的主面側MF（表面側）的電路元件D、搭載于引線框架RM的背面側BF的電感器（線圈）12以及對電路元件D和電感器12進行樹脂密封的樹脂體14構成。另外，還可以具有散熱板15，該散熱板15螺釘緊固在背面側BF的樹脂體14的外壁上，使在裝置內部產生的熱向裝置外方散熱。

引線框架RM為銅或銅合金等金屬制。在本實施方式中，引線框架RM主要由被分割而彼此不連續的三個分割框架16p～16r構成。即，分割框架彼此電絕緣。

如圖1的（a）所示，從正面側觀察半導體裝置10時，分割框架16p、16q配置在左右位置，分割框架16r配置在中央位置。

另外，在本實施方式中，作為電路元件D，搭載有MIC（單片集成電路）18、基板（有機基板）20p、芯片電容器22a～22c。在本實施方式中，引線框架RM的電導率比MIC18的電導率大。

MIC18搭載于分割框架16r上。芯片電容器22a橫跨安裝在分割框架16p、16r上，芯片電容器22b橫跨安裝在分割框架16q、16r上。

基板20p配置在分割框架16p上。并且，芯片電容器22c安裝在基板20p上。