[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201410136424.0 | 申請日: | 2014-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN104103618A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 岡部康寬 | 申請(專利權)人: | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L25/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于,該半導體裝置具有:
引線框架;
IC元件,其搭載于所述引線框架的主面側;
電感器,其搭載于所述引線框架的背面側;以及
樹脂體,其對所述引線框架、所述IC元件以及所述電感器進行樹脂密封,
所述電感器與所述引線框架緊貼,
所述電感器是強磁性體的八棱柱狀芯或圓柱狀芯,
在與所述電感器的軸對應的位置配置所述IC元件,
所述電感器與所述IC元件電連接,
在所述電感器的端子之間配置有流過所述IC元件的主電流的配線。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
從所述電感器的中心軸方向觀察時,在所述電感器的主體的內周側配置有所述IC元件。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置,其特征在于,
所述引線框架的電導率比所述IC元件的電導率大。
4.根據權利要求1~3中的任意一項所述的半導體裝置,其特征在于,
所述IC元件具有開關元件,
使搭載有所述開關元件的所述引線框架的接頭部與GND或+Vcc電源電壓連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三墾電氣株式會社,未經三墾電氣株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410136424.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:引線框架及半導體封裝體
- 下一篇:晶片封裝體及其制造方法





