[發明專利]一種鰭型半導體結構及其成型方法

有效

• 申請號: 201410135438.0
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN103915504B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 李迪
• 申請（專利權）人: 唐棕
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙)11442
• 代理人: 馬佑平

1.一種鰭型半導體結構，其特征在于，包括：

具有下部襯底和鰭片部的鰭型襯底；

形成在鰭片部上的源區和漏區；

形成在所述源區和漏區之間橫跨在鰭片部上的柵極結構，柵極結構下方的鰭片部為溝道；

形成在所述鰭片部兩側的淺溝道隔離；以及

形成在所述鰭片部中的位于所述柵極結構下方、在溝道和下部襯底之間的隔離區；

所述淺溝道隔離的上表面低于所述隔離區的上表面，所述隔離區的兩側具有回切區，所述柵極結構覆蓋在所述回切區的表面

所述鰭片部的頂面是圓滑的曲面，所述鰭片部頂面的寬度為1-10納米。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鰭片部兩端的截面為長方形；或者

所述鰭片部兩端的截面為三角形。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述結構還包括位于所述柵極結構的兩側的側墻。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，半導體結構還包括位于漏區下方的隔離區。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區與柵極結構的長度相等。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區的長度小于柵極結構的長度。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，在所述鰭片部中存在多個短隔離區。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區的材料為SiO₂和/或HfO₂。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區的厚度為5-20nm。

10.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述短隔離區的長度小于鰭片部寬度的4倍。

11.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括形成于鰭片部內的犧牲區，所述隔離區形成在所述犧牲區中，所述犧牲區從鰭片部的兩側露出。

12.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區是貫穿鰭片部的犧牲層。

13.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區是一個或多個犧牲塊。

14.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區的厚度為5-50nm。

15.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鰭片部包括上鰭片部、犧牲區和下鰭片部。

16.根據權利要求15所述的半導體結構，其特征在于，所述上鰭片部為具有圓角的長方體形或者圓柱形。

17.根據權利要求15所述的半導體結構，其特征在于，所述下鰭片部的材料是Si、犧牲區的材料是SiGe、上鰭片部的材料是Si。

18.根據權利要求15所述的半導體結構，其特征在于，所述下鰭片部的材料是Si，犧牲區的材料是SiGe，上鰭片部的材料是Ge含量比犧牲區低10％的SiGe。

19.根據權利要求15所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區的材料是Ge含量40％的SiGe，所述上鰭片部的材料是Ge含量30％的SiGe。

20.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于，所述上鰭片部的材料是Si時，鰭片部的表面具有一SiGe外延層。

21.根據權利要求20所述的半導體結構，其特征在于，在所述SiGe外延層外，還具有一Si外延層。

22.根據權利要求18所述的半導體結構，其特征在于，所述上鰭片部的材料是SiGe時，鰭片部的表面具有Si外延層。

23.根據權利要求21或22所述的半導體結構，其特征在于，所述Si外延層的厚度小于5納米。

24.根據權利要求23所述的半導體結構，其特征在于，這種結構適合制作PMOS器件。

25.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述回切區相對于鰭片部兩側面縮進的距離小于鰭片部寬度的四分之一。