[發(fā)明專利]一種用于SAR型ADC的小面積DAC電容陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410134661.3
• 申請日: 2014-04-02
• 公開（公告）號: CN104143982B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 陳云龑
• 申請（專利權）人: 上海菱沃鉑智能技術有限公司
• 主分類號: H03M1/38
• 分類號: H03M1/38
• 代理公司: 上海科盛知識產(chǎn)權代理有限公司31225
• 代理人: 趙志遠

1.一種用于SAR型ADC的小面積DAC電容陣列，其特征在于，該DAC電容陣列對應C-2C梯形電容網(wǎng)絡電路，由多個重復單元水平緊湊排列形成；

每個重復單元包括位電容C_n、寄生電容C_p、階間電容C_s和階間并聯(lián)電容C_x；所述的寄生電容C_p與位電容C_n共陽極，陰極接地；

所述的階間并聯(lián)電容C_x與階間電容C_s并聯(lián)后，一端與位電容C_n陽極連接，另一端與相鄰側(cè)重復單元的位電容C_n陽極連接；所述的位電容C_n之間和階間電容C_s之間均設有橫向寄生電容Cx₀；所述的位電容C_n之間和階間電容C_s之間均存在縱向寄生電容Cp₀；

該DAC電容陣列采用C-2C梯形電容陣列排布，即位電容C_n＝C，階間電容C_s＝2C；

所述的寄生電容Cp＝2Cp₀，階間并聯(lián)電容Cx＝6Cx₀，

為了使C-2C電容容值匹配，需要滿足如下公式：

1C+Cx0+Cp0(2C+2Cx0)(C+Cx0)+12C+6Cx0=C+Cx0]]>

由此公式推導，可得：

Cx0=0.5*Cp0*C+(C-1.5Cp0)24-C-1.5Cp02.]]>

2.根據(jù)權利要求1所述的一種小面積DAC電容陣列，其特征在于，相鄰重復單元的位電容并聯(lián)設置。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種小面積DAC電容陣列，其特征在于，該DAC電容陣列為8階以上。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種小面積DAC電容陣列，其特征在于，所述的橫向寄生電容Cx₀決定各個電容之間的距離。