[發明專利]一種單面拋光方法

有效

• 申請號: 201410133039.0
• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN103872183A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 萬松博;王栩生;章靈軍
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/306
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐靈;常亮

1.一種單面拋光方法，用來處理太陽能電池中的硅晶片，其特征在于，所述單面拋光方法包括步驟：

提供一待處理的硅晶片，

將該硅晶片置入氧氣氛圍后，在200-400度的溫度下，對該硅晶片的非待拋光面進行紫外線照射，在該紫外線的作用下，氧氣只在所述硅晶片的非待拋光面上與硅反應生成一層氧化硅；

將該硅晶片放入拋光溶液進行拋光，所述氧化硅形成對所述拋光溶液的阻擋層，使得該拋光溶液只在所述待拋光面上形成拋光效果；

去除非待拋光面上的所述氧化硅層。

2.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：所述硅基片為經過制絨工藝處理過的硅基片，或者所述硅基片為經過擴散工藝處理過的硅基片。

3.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：所述紫外線的波長范圍為125nm～175nm。

4.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：所述紫外線的光強為30W/m²～300W/m²，紫外線穿過氧氣的距離為0.2～1cm，生產的氧化硅厚度為5nm-50nm。

5.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：所述氧氣的流量為5sccm～15sccm，處理時間為10s～5min。

6.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：所述拋光溶液為四甲基氫氧化銨溶液。

7.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：去除氧化硅層時，使用HF溶液作為清洗液。

8.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：在將硅晶片放入拋光溶液進行拋光之前，還包括對該硅基片進行清洗的步驟。

9.如權利要求1所述的單面拋光方法，其特征在于：在去除所述氧化硅之前，還包括對該硅基片進行清洗的步驟。