[發明專利]位線多工器及位線多工系統

在審

• 申請號: 201410132601.8
• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN104979007A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 張正欣;陳建廷;葉佳楠
• 申請（專利權）人: 晶宏半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊

1.一種位線多工器，其特征在于，包括：

一晶體管組，包括一第一晶體管及一第二晶體管，該第一晶體管與該第二晶體管串聯連接，該第一晶體管的一柵極與該第二晶體管的一柵極連接，且連接至一位線；

一選擇晶體管，連接該晶體管組，該選擇晶體管的一柵極連接至一位選擇線；

一第三晶體管，連接至該晶體管組；及

一第四晶體管，連接該第三晶體管。

2.如權利要求1的位線多工器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該選擇晶體管及該第三晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管，該第四晶體管為P型金屬氧化物半導體晶體管。

3.如權利要求2的位線多工器，其特征在于，該第一晶體管的一源極連接至該第二晶體管的一漏極，該選擇晶體管的一源極連接至該第一晶體管的一漏極，該第三晶體管的一柵極連接至該第二晶體管的一源極，該第三晶體管的一漏極連接至該第二晶體管的該漏極，該第四晶體管的一柵極接地，該第四晶體管的一漏極連接至該第三晶體管的一源極，該第四晶體管的一源極連接至一第一電位。

4.如權利要求3的位線多工器，其特征在于，還包括一第五晶體管，為N型金屬氧化物半導體晶體管，連接該晶體管組及該選擇晶體管，該第五晶體管的一柵極連接至該第二晶體管的該源極，該第五晶體管的一源極連接至該位線，該第五晶體管的一漏極連接至該選擇晶體管的該源極。

5.如權利要求1的位線多工器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該選擇晶體管及該第三晶體管為P型金屬氧化物半導體晶體管，該第四晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管。

6.如權利要求5的位線多工器，其特征在于，該第一晶體管的一漏極連接至該第二晶體管的一源極，該選擇晶體管的一漏極連接至該第一晶體管的一源極，該第三晶體管的一柵極連接至該第二晶體管的一漏極，該第三晶體管的一源極連接至該第二晶體管的該源極，該第四晶體管的一柵極連接至一第二電位，該第四晶體管的一源極連接至該第三晶體管的一漏極，該第四晶體管的一漏極接地。

7.如權利要求6的位線多工器，其特征在于，還包括一第五晶體管，為P型金屬氧化物半導體晶體管，連接該晶體管組及該選擇晶體管，該第五晶體管的一柵極連接至該第二晶體管的該漏極，該第五晶體管的一漏極連接至該位線，該第五晶體管的一源極連接至該選擇晶體管的該漏極。

8.一種位線多工系統，其特征在于，包括：

多個開關，每個開關具有一第一端及一第二端，每個開關的該第一端連接至一位線；及

多個位線多工器，每個位線多工器包括：

一晶體管組，包括一第一晶體管及一第二晶體管，該第一晶體管及該第二晶體管串聯連接，該第一晶體管的一柵極及該第二晶體管的一柵極連接，且連接至該第二端；

一選擇晶體管，連接該晶體管組，該選擇晶體管的一柵極連接至一位選擇線；

一第三晶體管，連接至該晶體管組；及

一第四晶體管，連接該第三晶體管。

9.如權利要求8的位線多工系統，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該選擇晶體管及該第三晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管，該第四晶體管為P型金屬氧化物半導體晶體管。

10.如權利要求9的位線多工系統，其特征在于，該第一晶體管的一源極連接至該第二晶體管的一漏極，該選擇晶體管的一源極連接至該第一晶體管的一漏極，該第三晶體管的一柵極連接至該第二晶體管的一源極，該第三晶體管的一漏極連接至該第二晶體管的該漏極，該第四晶體管的一柵極接地，該第四晶體管的一漏極連接至該第三晶體管的一源極，該第四晶體管的一源極連接至一第一電位。

11.如權利要求10的位線多工系統，其特征在于，還包括一第五晶體管，為N型金屬氧化物半導體晶體管，連接該晶體管組及該選擇晶體管，該第五晶體管的一柵極連接至該第二晶體管的該源極，該第五晶體管的一源極連接至該位線，該第五晶體管的一漏極連接至該選擇晶體管的該源極。

12.如權利要求8的位線多工系統，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該選擇晶體管及該第三晶體管為P型金屬氧化物半導體晶體管，該第四晶體管為N型金屬氧化物半導體晶體管。