[發(fā)明專利]用于接地參考單端存儲(chǔ)器互連的系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410132075.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104102616B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 威廉·J·達(dá)利;約翰·W·波爾頓;托馬斯·黑斯廷斯·格里爾三世;布魯切克·庫(kù)都·海勒尼;卡爾·托馬斯·格雷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 輝達(dá)公司 |
| 主分類號(hào): | G06F13/42 | 分類號(hào): | G06F13/42;G06F13/40 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所11336 | 代理人: | 謝栒,張瑋 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接地 參考 存儲(chǔ)器 互連 | ||
1.一種用于接地參考單端存儲(chǔ)器互連的系統(tǒng),包括:
第一處理單元,其包括第一接地參考單端信令(GRS)接口電路;
第一高速緩存存儲(chǔ)器,其包括第二GRS接口電路;以及
多芯片模塊(MCM)封裝,其配置為包括接地網(wǎng)絡(luò)和將所述第一GRS接口電路耦連到所述第二GRS接口電路的一個(gè)或多個(gè)電跡線,
其中所述第一GRS接口電路和所述第二GRS接口電路每個(gè)配置為通過(guò)將所述一個(gè)跡線與所述接地網(wǎng)絡(luò)之間的電容器放電來(lái)沿所述一個(gè)或多個(gè)電跡線中的一個(gè)跡線傳送脈沖,并且與傳送脈沖相關(guān)聯(lián)的電流在所述一個(gè)跡線和所述接地網(wǎng)絡(luò)之間被本地平衡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述電容器上帶正電荷的節(jié)點(diǎn)耦連到所述一個(gè)跡線并且所述電容器上帶負(fù)電荷的節(jié)點(diǎn)耦連到所述接地網(wǎng)絡(luò)以生成表示邏輯值1的脈沖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述電容器上帶負(fù)電荷的節(jié)點(diǎn)耦連到所述一個(gè)跡線并且所述電容器上帶正電荷的節(jié)點(diǎn)耦連到所述接地網(wǎng)絡(luò)以生成表示邏輯值0的脈沖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第一高速緩存存儲(chǔ)器包括制造為包括兩個(gè)或更多個(gè)穿片通孔的存儲(chǔ)器芯片的堆疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng),其中所述第一高速緩存存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)器芯片堆疊,并且其中所述存儲(chǔ)器芯片堆疊的第一存儲(chǔ)器芯片被制造為包括耦接至所述第一存儲(chǔ)器芯片內(nèi)的電路的第一穿片通孔,并且其中第二穿片通孔被配置為通過(guò)所述第一存儲(chǔ)器芯片耦接直通信號(hào),并且其中當(dāng)所述第一存儲(chǔ)器芯片圍繞著旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)一百八十度時(shí),所述第一穿片通孔被布置在本質(zhì)上與所述第二穿片通孔重疊的位置上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng),其中所述存儲(chǔ)器芯片的堆疊還包括第二存儲(chǔ)器芯片,所述第二存儲(chǔ)器芯片被配置為包括所述第二GRS接口電路,并且其中所述第二GRS接口電路被耦接至直通信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第一高速緩存存儲(chǔ)器包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第一GRS接口電路包括雙向收發(fā)器電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其中所述雙向收發(fā)器電路配置為串行化出站數(shù)據(jù)并且解串行化入站數(shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),進(jìn)一步包括第二處理單元,所述第二處理單元包括第三GRS接口電路,并且其中所述第一高速緩存存儲(chǔ)器進(jìn)一步包括第四GRS接口電路,并且所述一個(gè)或多個(gè)電跡線將所述第三GRS接口電路耦連到所述第四GRS接口電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),進(jìn)一步包括第二高速緩存存儲(chǔ)器,所述第二高速緩存存儲(chǔ)器包括第五GRS接口電路和第六GRS接口電路,其中所述第一處理單元包括第七GRS接口電路并且所述第二處理單元包括第八GRS接口電路,所述一個(gè)或多個(gè)電跡線將所述第七GRS接口電路耦連到所述第五GRS接口電路,并且將所述第八GRS接口電路耦連到所述第六GRS接口電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中所述第一處理單元包括中央處理單元,并且所述第二處理單元包括圖形處理單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述一個(gè)或多個(gè)電跡線通過(guò)第一路由電路將所述第一GRS接口電路互連到所述第二GRS接口電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng),其中所述第一路由電路配置為將數(shù)據(jù)從入站GRS接口電路傳送到出站GRS接口電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng),其中所述第一路由電路配置為通過(guò)第三GRS接口電路將數(shù)據(jù)傳送到第二路由電路。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng),進(jìn)一步包括耦連到所述第一路由電路的第二高速緩存存儲(chǔ)器。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述第一高速緩存存儲(chǔ)器包括多個(gè)庫(kù)以及耦連在第一庫(kù)與所述第二GRS接口電路之間的仲裁電路。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述封裝包括有機(jī)襯底。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中所述封裝包括硅襯底。
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