[發明專利]無氰電鍍銀溶液及其電鍍方法

無效

• 申請號: 201410131938.7
• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN103866355A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 袁丹丹;高立軍
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: C25D3/46
• 分類號: C25D3/46
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 劉懿

技術領域

本發明涉及電鍍化學技術領域，具體而言，涉及一種無氰電鍍銀溶液及其電鍍方法。

背景技術

銀鍍層具有良好的導電性、低接觸電位和高反射系數，因此在電器、電子、通訊設備和儀器儀表制造等領域得到廣泛應用。目前鍍銀溶液多數以氰化物體系為主，嚴重危害生態環境，正逐步被無氰鍍銀取代。無氰電鍍銀溶液用不含氰的離子與銀離子進行絡合，通過電化學反應沉積得到鍍層。但目前所使用的無氰鍍銀體系普遍存在鍍液的穩定性差、鍍銀層的應力大、與基底的結合性差、允許的電流密度范圍窄等問題，因而無氰鍍銀沒有廣泛應用于電鍍銀行業。本發明采用的無氰電鍍液，可以有效解決上述問題，具有良好的鍍銀效果，可作為鍍銀導線應用于硅電池片上。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的以上問題，提供一種無氰電鍍銀溶液及其電鍍方法，解決現有無氰電鍍銀體系鍍液穩定性差、電流密度范圍窄的技術問題。

為實現上述技術目的，達到上述技術效果，本發明通過以下技術方案實現：

一種無氰電鍍銀溶液，主要由硝酸銀、硫代硫酸鈉、無水亞硫酸鈉、醋酸銨、醋酸鉀、硼酸、煙酸與去離子水配制而成。

優選的，所述硝酸銀為40-50?g/L，硫代硫酸鈉為200-260?g/L，無水亞硫酸鈉為80-100?g/L，醋酸銨為20-40?g/L，醋酸鉀為20-40?g/L，硼酸為15-35?g/L，煙酸為1-3?g/L，其余為去離子水。

進一步的，所述溶液的pH值在5-6之間。

優選的，所述溶液施鍍時陰極電流密度允許的范圍為0.1-1.4A/dm²。

一種無氰電鍍銀溶液的電鍍方法，包括以下步驟：

步驟1）配制如下的無氰電鍍銀溶液：硝酸銀、硫代硫酸鈉、無水亞硫酸鈉、醋酸銨、醋酸鉀、硼酸、煙酸與去離子水；

步驟2）將待鍍鍍件依次經堿性除油、酸洗、水洗后干燥；

步驟3）將所述步驟1所配置的無氰電鍍銀溶液裝入電鍍槽內，以銀板作為陽極，以所述步驟2處理的待鍍鍍件作為陰極，在陽極、陰極之間施加直流電流，在室溫條件下，鍍液采用磁力攪拌，待鍍層厚度達到要求時，然后使用去離子水清洗表面后干燥，完成電鍍。

優選的，步驟1配制的無氰電鍍銀溶液中，所述硝酸銀為40-50?g/L，硫代硫酸鈉為200-260?g/L，無水亞硫酸鈉為80-100?g/L，醋酸銨為20-40?g/L，醋酸鉀為20-40?g/L，硼酸為15-35?g/L，煙酸為1-3?g/L，其余為去離子水。

進一步的，所述步驟1配制的無氰電鍍銀溶液的pH值在5-6之間。

優選的，步驟2中所述溶液施鍍時陰極電流密度允許的范圍為0.1-1.4A/dm²。

本發明的有益效果是:

本發明的鍍液成分中不含有劇毒物質，為無氰配方，減小了對環境的危害。鍍液成分簡單易得，成本較低。鍍液穩定性較好，在久置后不出現沉淀、變色等現象；且久置后的鍍液的施鍍效果與新配制鍍液相同。鍍液的分散能力和均鍍能力也較好，允許的電流密度范圍較寬，且在所允許的電流密度范圍內均能得到性能良好的銀鍍層。所獲鍍層平滑一致，結晶細密，與基體有較強的結合力；鍍層外觀平整光亮，久置與空氣中并沒有發生變色，抗變色性優異。

具體實施方式

實施例1：

無氰電鍍銀溶液的配方組成為：硝酸銀?40?g/L，硫代硫酸鈉?230?g/L，無水亞硫酸鈉?80?g/L，醋酸銨?30?g/L，醋酸鉀?30?g/L，硼酸?20?g/L，煙酸?1?g/L。鍍液的pH值為5-6。

以銀板（純度為99.99%）作為陽極，以待鍍鍍件為陰極，室溫條件下，在陽極、陰極之間施加直流電流，控制陰極電流密度為0.1-1.4A/dm²。鍍液采用磁力攪拌，施鍍5-30min，然后使用去離子水清洗表面后干燥，完成電鍍。

實施例2：

無氰電鍍銀溶液的配方組成為：硝酸銀?50?g/L，硫代硫酸鈉?260?g/L，無水亞硫酸鈉?90?g/L，醋酸銨?40?g/L，醋酸鉀?40?g/L，硼酸?30?g/L，煙酸?2?g/L。鍍液的pH值為5-6。

以銀板（純度為99.99%）作為陽極，以待鍍鍍件為陰極，室溫條件下，在陽極、陰極之間施加直流電流，控制陰極電流密度為0.1-1.4A/dm²。鍍液采用磁力攪拌，施鍍5-30min，然后使用去離子水清洗表面后干燥，完成電鍍。

以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。