[發明專利]用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝有效
| 申請號： | 201410131113.5 | 申請日： | 2014-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN103887231B | 公開（公告）日： | 2017-02-15 |
| 發明（設計）人： | 薛愷;張文奇 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新區太湖國*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 tsv 背面 漏孔 介質 對準 工藝 | ||
1.一種用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于，包括下述步驟：
步驟一，提供已經完成TSV盲孔結構制造的襯底(1)；
步驟二，對含有TSV盲孔結構的襯底(1)進行背面減薄；
步驟三，利用高選擇比刻蝕工藝刻蝕襯底(1)背面，使得TSV背面端頭突出于襯底(1)背部表面；
步驟四，在襯底(1)背面涂覆一層背面介質層(4)，覆蓋襯底(1)背面和突出襯底(1)背部表面的TSV背面端頭；
步驟五，利用CMP工藝對背面介質層(4)進行平坦化處理并使TSV露出；
步驟六，利用刻蝕工藝處理露出的TSV，形成TSV和背面介質層(4)的臺階(5)；
步驟七，在襯底(1)背面淀積粘附層和種子層；
步驟八，利用TSV和介質層的臺階(5)進行微凸點(7)或RDL光刻對準，完成制作微凸點或RDL工藝。
2.如權利要求1所述的用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于：步驟一中，TSV盲孔周圍設有TSV絕緣層(2)。
3.如權利要求1所述的用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于：步驟三中，刻蝕的方法采用濕法刻蝕工藝。
4.如權利要求1所述的用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于：背面介質層(4)的材料包括聚合物材料、二氧化硅、氮化硅中的一種或多種。
5.如權利要求1所述的用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于：步驟七中，利用PVD物理氣相沉積工藝淀積粘附層和種子層。
6.如權利要求1所述的用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于：粘附層的材料為鈦。
7.如權利要求1所述的用于TSV背面漏孔及介質層與TSV的自對準工藝，其特征在于：種子層的材料為銅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
