[發明專利]肖特基二極管結構

有效

• 申請號: 201410130869.8
• 申請日: 2014-04-02
• 公開（公告）號: CN104253163B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 蔣柏煜
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司11111
• 代理人: 白華勝,段曉玲

技術領域

本發明是有關于一種肖特基二極管結構，特別是有關于一種在逆向偏壓條件下具低漏電流的肖特基二極管結構。

背景技術

肖特基二極管(Schottky diode，又稱為SBD)因為具有多數導電載子(majority of conduction carriers)且在正向偏壓下具低導通電壓(low turn-on voltage in a forward bias)的優點，所以廣泛地應用于電源管理集成電路中來改善電源轉換效率。然而，具有低開啟電壓的肖特基二極管在逆向偏壓(reverse bias)下會有漏電流。當裝置中使用肖特基二極管時，會因為肖特基勢壘降低效應(Schottky barrier lowering effect)，所以在逆向偏壓條件下的高漏電流問題會變得更加嚴重

因此，在此技術領域中，有需要一種創新的肖特基二極管結構，降低逆向偏壓條件下的漏電流且維持順向電壓條件下具低導通電壓的優點，以改善上述缺點。

發明內容

有鑒于此，本發明提出一種肖特基二極管結構。

依據本發明第一實施方式，提供一種信肖特基二極管結構。該肖特基二極管結構包括：半導體基板，具有主動區；第一阱區，形成于該主動區中，其中該第一阱區具有第一導電類型；第一摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第一摻雜區具有該第一導電類型；第一電極，設置于該主動區上，且覆蓋該第一摻雜區；第二電極，設置于該主動區上，且接觸該第一阱區；柵極結構，設置于該第一阱區上；以及第二摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第二摻雜區具有相反于該第一導電類型的第二導電類型，其中該柵極結構和該第二摻雜區設置于該第一電極和該第二電極之間。

依據本發明第二實施方式，提供一種肖特基二極管結構。該肖特基二極管結構包括：半導體基板，具有主動區；第一阱區，形成于該主動區中，其中該第一阱區具有第一導電類型；第一摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第一摻雜區具有該第一導電類型；第一電極，設置于該主動區上，且覆蓋該第一摻雜區；第二電極，設置于該主動區上，且接觸該第一阱區；第二摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第一摻雜區具有相反于該第一導電類型的第二導電類型；以及柵極結構，設置于該第二摻雜區上。

本發明所提出的肖特基二極管結構，可降低逆向偏壓條件下的漏電流。

附圖說明

圖1A為根據本發明實施方式的肖特基二極管結構的剖面圖。

圖1B為根據本發明另一實施方式的肖特基二極管結構的剖面圖。

圖2A為根據本發明又一實施方式的肖特基二極管結構的剖面圖。

圖2B為根據本發明又一實施方式的肖特基二極管結構的剖面圖。

具體實施方式

本發明將參照附圖來對具體的實施方式進行描述，并且各實施方式僅用于解釋本發明的基本原理，而并非用以限制本發明。本發明的范圍應當以權利要求界定的范圍為準。其中，描述的附圖僅為示意圖。在圖式或說明書描述中，相似或相同的部分均使用相同的圖號。為清楚地解釋本發明，附圖中的一些元件的尺寸可能與本發明的實際尺寸不對應，并且可能會被放大（exaggerate）和未按比例繪制。此外，實施方式中圖式標號部分重復，是為了簡化說明，并非意指不同實施方式之間的關聯性。