[發明專利]肖特基二極管結構

有效

• 申請號: 201410130869.8
• 申請日: 2014-04-02
• 公開（公告）號: CN104253163B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 蔣柏煜
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司11111
• 代理人: 白華勝,段曉玲

1.一種肖特基二極管結構，其特征在于，包括：

半導體基板，具有主動區；

第一阱區，形成于該主動區中，其中該第一阱區具有第一導電類型；

第一摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第一摻雜區具有該第一導電類型；

第一電極，設置于該主動區上，且覆蓋該第一摻雜區；

第二電極，設置于該主動區上，且接觸該第一阱區；

柵極結構，設置于該第一阱區上；以及

第二摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第二摻雜區具有相反于該第一導電類型的第二導電類型，其中該柵極結構和該第二摻雜區設置于該第一電極和該第二電極之間；

其中，該柵極結構包括：柵極絕緣層；多晶硅圖案，直接設置于該柵極絕緣層上，并且該柵極絕緣層的側壁和該多晶硅圖案的側壁垂直對齊；以及多個絕緣間隙壁，設置于垂直對齊的該柵極絕緣層的側壁和該多晶硅圖案的側壁上；

其中，該第二電極與該柵極結構隔開一距離。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，進一步包括：

隔絕區，設置于該第一阱區中，其中該隔絕區具有相對的兩個側壁，該相對的兩個側壁分別相鄰于該第一摻雜區和該第二摻雜區。

3.根據權利要求2所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第一摻雜區通過該隔絕區與該第二摻雜區隔開。

4.根據權利要求2所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該柵極結構部分覆蓋該隔絕區。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第二摻雜區設置于該柵極結構的邊界內。

6.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第一摻雜區通過第一距離與該第二摻雜區隔開。

7.根據權利要求6所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該柵極結構通過第二距離與該第一電極隔開，其中該第二距離小于該第一距離。

8.根據權利要求7所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第二電極通過第三距離與該第二摻雜區隔開，其中該第三距離小于該柵極結構的長度。

9.根據權利要求8所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第一電極通過第四距離與該第二電極隔開，其中該第四距離大于該第一距離、該第二距離、該第三距離和該柵極結構的長度。

10.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該柵極結構完全覆蓋該第二摻雜區。

11.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第一導電類型為n型，且該第二導電類型為p型。

12.根據權利要求11所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第一電極為陰極，且該第二電極為陽極。

13.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該柵極結構為電性浮接。

14.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該柵極結構耦接至該第二電極。

15.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該柵極結構和該第二摻雜區圍繞該第二電極。

16.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，該第二摻雜區通過該柵極絕緣層與該多晶硅圖案隔開。

17.一種肖特基二極管結構，其特征在于，包括：

半導體基板，具有主動區；

第一阱區，形成于該主動區中，其中該第一阱區具有第一導電類型；

第一摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第一摻雜區具有該第一導電類型；

第一電極，設置于該主動區上，且覆蓋該第一摻雜區；

第二電極，設置于該主動區上，且接觸該第一阱區；

第二摻雜區，形成于該第一阱區上，其中該第二摻雜區具有相反于該第一導電類型的第二導電類型；以及

柵極結構，設置于該第二摻雜區上；

其中，該柵極結構包括：柵極絕緣層；多晶硅圖案，直接設置于該柵極絕緣層上，并且該柵極絕緣層的側壁和該多晶硅圖案的側壁垂直對齊；以及多個絕緣間隙壁，設置于垂直對齊的該柵極絕緣層的側壁和該多晶硅圖案的側壁上；

其中，該第二電極與該柵極結構隔開一距離。