[發明專利]OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201410130815.1 | 申請日: | 2014-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN103915453A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 劉海;蔣卡恩;姚紅莉;劉剛;姚宇環 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 劉松 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED陣列基板,包含有多個OLED像素單元,其中所述OLED像素單元包括:第一電極,第二電極,以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的發光結構層;
其中,所述第一電極包括:位于底層的金屬單質膜層、位于金屬單質膜層之上的合金膜層、以及位于合金膜層之上的ITO膜層,所述合金膜層為所述金屬單質與汞以設定質量比例混合而成的合金所形成的膜層。
2.如權利要求1所述的OLED陣列基板,其特征在于,還包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板之上的TFT陣列;
其中,所述第一電極比所述第二電極更靠近所述襯底基板。
3.如權利要求2所述的OLED陣列基板,其特征在于,所述合金膜層中,金屬單質與汞的質量比例范圍為1.2:1~100:1。
4.如權利要求3所述的OLED陣列基板,其特征在于,所述金屬單質膜層的厚度為所述合金膜層的厚度為所述ITO膜層的厚度為
5.如權利要求1所述的OLED陣列基板,其特征在于,所述金屬單質為錫、銀、鈦、釩、鋁、鋅、錫、銅、金或鉑中的任意一種。
6.一種顯示面板,包括如權利要求1~5任一項所述的OLED陣列基板。
7.一種顯示裝置,包括如權利要求6所述的顯示面板。
8.一種OLED陣列基板的制備方法,包括:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板之上形成TFT陣列,其中,所述第一電極比所述第二電極更靠近所述襯底基板;
在所述TFT陣列之上形成多個OLED像素單元,包括:通過三次沉積形成第一電極,在所述第一電極之上形成發光結構層,在所述發光結構層之上形成第二電極;
其中,通過三次沉積形成第一電極,具體包括:在所述TFT陣列之上利用第一次沉積形成金屬單質膜層,在所述金屬單質膜層之上利用第二次沉積形成合金膜層,在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層之后,還包括:
利用濕刻工藝對所述ITO膜層進行刻蝕;
利用設定質量比例的混合溶液對所述合金膜層和金屬單質膜層進行刻蝕;
形成第一電極圖案。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,在形成第一電極圖案之后,還包括:
對形成第一電極圖案的陣列基板進行退火工藝,所述退火工藝的溫度為180℃~230℃。
11.如權利要求10所述的方法,其特征在于,所述設定質量比例的混合溶液包括:質量比例為3%~7%的硝酸、質量比例為45%~60%的磷酸或硫酸、質量比例為15%~25%的乙酸和質量比例為0.5%~7%的添加劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





