[發明專利]OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410130815.1
• 申請日: 2014-04-02
• 公開（公告）號: CN103915453A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 劉海;蔣卡恩;姚紅莉;劉剛;姚宇環
• 申請（專利權）人: 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

在有機發光（OLED，Organic?Light-Emitting?Diode）顯示技術中，如圖1所示，為傳統的頂發射結構中的反射層結構。由圖1可知，反射層由上至下依次包括第一ITO層101、金屬層102、第二ITO層103，所述第一ITO層101使用材料為氧化銦錫（ITO，Indium?Tin?Oxides），所述金屬層102使用材料為金屬單質銀（Ag）、所述第二ITO層103使用材料為氧化銦錫（ITO，Indium?Tin?Oxides），三層膜層結構共同作為反射層。其中，位于最上層的第一ITO層101的厚度為100～250A，而且具有導電性好、透明度高、功函數高等優點，被用作像素電極的陽極，可有效提高顯示效率。位于中間層的金屬層102的厚度為1000～1500A，由于金屬單質銀（Ag）具有優良的反射率和延展性，因此，在該反射層中起到反射和導電的作用。位于最下層的第二ITO層103的厚度為100～250A，用于隔離下方的平坦化層104和上方的金屬層102，避免金屬層102與平坦化層104或者有源層105接觸，防止金屬層102發生形變或被氧化。

然而，在圖1的反射層結構中，第一ITO層101和第二ITO層103的材料ITO能夠吸收空氣中的水汽和二氧化碳，而導致ITO發生化學反應，影響第一ITO層101和第二ITO層103的透明性和導電性。

發明內容

本發明實施例提供一種OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，用以改善現有技術中存在的反射層成本較大以及兩層ITO膜層易發生霉變的問題。

本發明實施例采用以下技術方案：

一種OLED陣列基板，包含有多個OLED像素單元，且任一OLED像素單元包括：第一電極，第二電極，以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的發光結構層；其中，所述第一電極包括：位于底層的金屬單質膜層、位于金屬單質膜層之上的合金膜層、以及位于合金膜層之上的ITO膜層，所述合金膜層為所述金屬單質與汞以設定質量比例混合而成的合金所形成的膜層。

一種顯示面板，包括所述的OLED陣列基板。

一種顯示裝置，包括所述的顯示面板。

一種OLED陣列基板的制備方法，包括：提供一襯底基板；在所述襯底基板之上形成TFT陣列，其中，所述第一電極比所述第二電極更靠近所述襯底基板；在所述TFT陣列之上形成多個OLED像素單元，包括：通過三次沉積形成第一電極，在所述第一電極之上形成發光結構層，在所述發光結構層之上形成第二電極；其中，通過三次沉積形成第一電極，具體包括：在所述TFT陣列之上利用第一次沉積形成金屬單質膜層，在所述金屬單質膜層之上利用第二次沉積形成合金膜層，在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層。

在本發明實施例中，通過利用錫汞齊較高的反射率和較好的導電率，將其替代現有技術中反射層的金屬單質銀，避免了硫化銀的產生；由于避免了最下層使用ITO，降低了整個反射層的ITO發生霉變的情況；同時，錫汞齊形成的合金膜層和單質錫形成的金屬單質膜層的整體厚度較小。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術中的反射層結構示意圖；

圖2為本發明實施例中的OLED陣列基板的結構示意圖；

圖3為本發明實施例中的OLED陣列基板的制備方法的步驟流程圖；

圖4（a）為本發明實施例中的作為反射層的第一電極形成初期的結構示意圖；

圖4（b）為本發明實施例中的第一電極形成后期的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。