[發明專利]CMOS圖像傳感器封裝方法

有效

• 申請號: 201410128960.6
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN103915461A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 趙立新;鄧輝;李文強
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種CMOS圖像傳感器封裝方法。

背景技術

目前，集成電路(IC)正在向高速化、小型化以及低功耗化的方向發展。在制造CMOS圖像傳感器的過程中，往往采用晶圓級封裝，從而降低成本并降低IC的體積。

傳統的COB(Chip?on?Board)封裝是將晶片固定于PCB板再加上支架及鏡片制作成模塊，此生產方式重點為COB良率的控制，故具有生產流程短及較低成本優勢，并且可靠性高。COB的缺點是制作過程中容易遭受污染。

傳統的CSP(Chip?Scale?Package)封裝的方式則可應用于晶圓級封裝，將整片晶圓上進行封裝及測試，可減少材料及人工成本，適合大規模量產。另外，因其與電路板上僅隔著錫球或凸塊，可大幅縮短電路傳輸途徑，及減少電流損耗與電磁波干擾發生的機率。

目前，CSP封裝主要應用在對成本要求高的中低端和低像素的CMOS圖像傳感器中。然而，低像素的CMOS圖像傳感器已經不能滿足當前的需求，但是提高像素后，目前的高像素的CMOS圖像傳感器的體積往往較大，不利于在系統應用中推廣使用。

目前在高像素的CMOS圖像傳感器的CSP封裝過程中，一般用整塊玻璃和包含多個獨立感光面的晶圓同時進行封裝。這樣在制造的過程中，一旦發生錯誤，將導致多個晶片無法正常生產，也不利于對所發生的問題進行分析。

因此，亟需一種能夠具有COB的高可靠性和CSP的規模量產性的封裝方法。

發明內容

基于以上考慮，如果提出一種能夠具有高可靠性且便于量產的封裝方法將是非常有利的。

根據本發明的一方面，提出了一種圖像傳感器的封裝方法，其特征在于，包含如下所述步驟：A：提供圖像傳感器晶片、透明的封裝基板；B：鍵合金屬導線于所述圖像傳感器晶片的焊盤；C：將鍵合有金屬導線的所述圖像傳感器晶片的感光面的一側粘合于所述封裝基板；D1：在所述封裝基板上進行焊料凸點制作，使得所述金屬導線、封裝基板與對應的焊料凸點電連通；或D2：鍵合所述金屬導線于所述封裝基板上的焊盤，再進行焊料凸點制作使得所述金屬導線與對應的焊料凸點電連通。

根據本發明的一個實施例，所述步驟D1和／或D2中，還包括：彎曲所述金屬導線，使得所述金屬導線形成弧度并且高于所述圖像傳感器晶片的焊盤表面。

根據本發明的一個實施例，所述金屬導線突出所述圖像傳感器晶片焊盤表面的高度大于等于50微米小于等于300微米。

根據本發明的一個實施例，所述步驟A還包括：在所述封裝基板表面形成焊盤及導線。

根據本發明的一個實施例，所述步驟C還包括：于所述封裝基板或所述圖像傳感器上形成具有多個具有粘性的支撐側墻，通過所述支撐側墻將所述封裝基板與所述圖像傳感器相粘合。

根據本發明的一個實施例，所述支撐側墻是通過點膠、或絲網印刷，或光刻的方式形成。

根據本發明的一個實施例，所述步驟D1和／或D2中還包括：在所述金屬導線的外側設置保護膠水。

根據本發明的一個實施例，所述封裝基板的單面鍍上紅外濾光膜或雙面分別鍍上紅外濾光膜和光學增透膜。

根據本發明的一個實施例，所述步驟D1和／或D2中，通過植球或印刷焊膏及回流焊工藝分別制作形成焊料凸點。

根據本發明的一個實施例，所述的步驟D1和／或D2之后還包括：E：于所述焊料凸點與所述圖像傳感器晶片之間形成絕緣層，以進行封膠。

根據本發明的一個實施例，所述步驟B中還包括：將所述金屬導線形成環狀，使得所述金屬導線的首端和末端均鍵合于圖像傳感器晶片的焊盤上。

本發明通過將圖像傳感器的晶片切割后再與封裝基板進行封裝，能夠實現高可靠性和規模量產性。

本發明的各個方面將通過下文中的具體實施例的說明而更加清晰。

附圖說明

通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實施例的詳細描述，本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯。

圖1為依據本發明實施例的圖像傳感器的封裝方法的流程圖；

圖2a至圖2i是依據圖1中的封裝方法的本發明實施例的剖面示意圖。

在圖中，貫穿不同的示圖，相同或類似的附圖標記表示相同或相似的裝置(模塊)或步驟。

具體實施方式