[發明專利]CMOS圖像傳感器封裝方法有效
| 申請號： | 201410128960.6 | 申請日： | 2014-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN103915461A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發明（設計）人： | 趙立新;鄧輝;李文強 | 申請（專利權）人： | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 鄭立柱 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 封裝 方法 | ||
1.一種圖像傳感器的封裝方法，其特征在于，包含如下所述步驟：
A：提供圖像傳感器晶片、透明的封裝基板；
B：鍵合金屬導線于所述圖像傳感器晶片的焊盤；
C：將鍵合有所述金屬導線的所述圖像傳感器晶片的感光面的一側粘合于所述封裝基板；
D1：在所述封裝基板上進行焊料凸點制作，使得所述金屬導線、封裝基板與對應的焊料凸點電連通；或
D2：鍵合所述金屬導線于所述封裝基板上的焊盤，再進行焊料凸點制作使得所述金屬導線與對應的焊料凸點電連通。
2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟D1和／或D2中，還包括：彎曲所述金屬導線，使得所述金屬導線形成弧度并且高于所述圖像傳感器晶片的焊盤表面。
3.根據權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述金屬導線高出所述圖像傳感器晶片焊盤表面的高度大于等于50微米小于等于300微米。
4.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟A還包括：在所述封裝基板表面形成焊盤及導線。
5.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟C還包括：于所述封裝基板或所述圖像傳感器上形成具有多個具有粘性的支撐側墻，通過所述支撐側墻將所述封裝基板與所述圖像傳感器相粘合。
6.根據權利要求5所述的封裝方法，其特征在于，所述支撐側墻是通過點膠、或絲網印刷，或光刻的方式形成。
7.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟D1和／或D2中還包括：在所述金屬導線的外側形成保護膠水。
8.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝基板為玻璃材質或塑料材質。
9.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝基板的單面鍍上紅外濾光膜或光學增透膜，或所述封裝基板的雙面分別鍍上紅外濾光膜和光學增透膜。
10.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟D1和／或D2中，通過植球或印刷焊膏及回流焊工藝分別制作形成焊料凸點。
11.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟D1和／或D2之后還包括：
E：于所述焊料凸點與所述圖像傳感器晶片之間形成絕緣層，以進行封膠。
12.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述步驟B中還包括：
將所述金屬導線形成環狀，使得所述金屬導線的首端和末端均鍵合于圖像傳感器晶片的焊盤上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
