[發(fā)明專利]一種FIB直寫加工制備SERS基底的優(yōu)化加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410128552.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN104020715A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐宗偉;李康;房豐洲;高婷婷;申雪岑;徐曉軒
• 申請（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): G05B19/18
• 分類號(hào): G05B19/18;B81C1/00
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 程毓英

1.一種FIB直寫加工制備SERS基底的優(yōu)化加工方法，采用具有可以進(jìn)行電子束掃描（SEM）子系統(tǒng)和離子束（FIB）加工的子系統(tǒng)的聚焦離子束-電子束的雙束系統(tǒng)，包括下列步驟：

（1）將待加工基底置于雙束系統(tǒng)樣品室，并通過電子束掃描系統(tǒng)進(jìn)行形貌觀測；

（2）預(yù)留一定加工寬度，按照目標(biāo)圖形利用聚焦離子束對基底進(jìn)行離子刻蝕加工；

（3）利用電子束掃描子系統(tǒng)或離子束加工子系統(tǒng)實(shí)時(shí)觀測加工過程和結(jié)果；

（4）將樣品取出樣品室放入鍍膜設(shè)備，調(diào)整參數(shù)與離子束加工結(jié)構(gòu)和尺寸相結(jié)合在加工樣品表面精確蒸鍍金膜，并將鍍膜后的樣品作為拉曼散射增強(qiáng)基底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，其中的步驟（2）中，聚焦離子束照刻蝕圖形為橢圓形、三角形或菱形等形狀結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，其中的步驟（2）中，加速電壓控制在1kV-50kV之間、離子束工作電流在1pA-20nA之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，其中的步驟（4）的對加工基底蒸鍍貴族金屬薄膜過程中，金膜厚度變化范圍根據(jù)具體應(yīng)用和加工工藝需求控制在1nm-1um范圍之內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的聚焦離子束是鎵離子、氦離子、氖離子或質(zhì)子離子束。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的基底由單晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、鉻材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述的蒸鍍金屬材料為金、銀或銅貴金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納加工方法，其特征在于，蒸鍍貴金屬薄膜方法可以為熱蒸鍍、磁控濺射、電子或離子濺射方法。