[發明專利]晶圓位置傾斜的偵測方法

在審

• 申請號: 201410123948.6
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN104952752A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 王躍剛;易旭東;楊曉松;吳剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及在晶圓需要進行烘烤過程中，一種晶圓位置傾斜的偵測方法。

背景技術

在半導體制程過程中，例如光刻工藝中，就需要對晶圓進行烘烤，在這些涉及熱量變化的過程里，晶圓的受熱的均勻程度對后續工藝有著直接的影響，例如晶圓受熱不均勻會導致CD的均一性（uniformity），嚴重的影響著產品的良率，甚至能夠引發報廢。

晶圓受熱的均勻性與晶圓位置是否傾斜是直接相關的，如圖1和圖2所示，晶圓2在熱板1上的位置包括正常放置和傾斜放置，在如圖2的情況下，晶圓發生傾斜，就會導致溫度異常。但是目前在生產線上還沒有一種偵測晶圓是否發生傾斜的手段。通常的檢測方法只是通過OCAP的統計和對產品的加量（add?measurement），來獲悉產品是否收到影響，然而由于這是后期操作，對于已經受到影響的產品不能夠及時的獲悉。

因此，如何改善這一狀況，已成為亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種晶圓位置傾斜的偵測方法，以快速有效的檢測晶圓位置是否傾斜。

為解決上述技術問題，本發明提供一種晶圓位置傾斜的偵測方法，用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確，包括：

放置晶圓于熱板上；

保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中每個設定時刻的熱板上的最大溫度差；

比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設定值，若最大溫度差小于設定值，則所述晶圓傾斜。

可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述設定值為1℃。

可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述時間段為30s～60s。

可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，將在所述時間段中的最大溫度差是否超過設定值的比較結果傳送至IEMS系統。

可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，若所述時間段中的最大溫度差小于設定值，則IEMS系統將產品扣留；若所述時間段中的最大溫度差大于等于設定值，則晶圓位置正常，并確認放行。

可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述最大溫度差為在所述時間段中偵測的溫度中最高溫度與最低溫度的差。

可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述熱板的溫度范圍是90°～150°。

與現有技術相比，本發明提供的晶圓位置傾斜的偵測方法中，通過在晶圓加熱過程中，記錄處在該時間段內相應時刻的熱板上的最大溫度差，并比較所述最大溫度差與設定值的關系，從而反映出晶圓是否傾斜。相比現有技術，本發明的方法直接有效，能夠實時的通過熱板上溫度的情況反映出是否傾斜；進一步的，通過IEMS系統的控制，能夠直接檢測出發生的產品，從而及時進行處理，將損失盡可能的降低。

附圖說明

圖1為現有技術及本發明中晶圓位置正常的示意圖；

圖2為本發明中及本發明中晶圓位置傾斜的示意圖；

圖3為本發明中晶圓位置傾斜的偵測方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的晶圓位置傾斜的偵測方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

本發明的核心思想在于，提供一種晶圓位置傾斜的偵測方法，用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確，包括：放置晶圓于熱板上；保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中晶圓上的最大溫度差；比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設定值，若最大溫度差小于設定值，則所述晶圓傾斜。