[發明專利]晶圓位置傾斜的偵測方法在審
| 申請號: | 201410123948.6 | 申請日: | 2014-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN104952752A | 公開(公告)日: | 2015-09-30 |
| 發明(設計)人: | 王躍剛;易旭東;楊曉松;吳剛 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 位置 傾斜 偵測 方法 | ||
1.一種晶圓位置傾斜的偵測方法,用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確,包括:
放置晶圓于熱板上;
保持晶圓加熱一時間段,實時偵測并記錄在這一時間段中熱板上的最大溫度差;
比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設定值,若最大溫度差小于設定值,則所述晶圓傾斜。
2.如權利要求1所述的晶圓位置傾斜的偵測方法,其特征在于,所述設定值為1℃。
3.如權利要求2所述的晶圓位置傾斜的偵測方法,其特征在于,所述時間段為30s~60s。
4.如權利要求3所述的晶圓位置傾斜的偵測方法,其特征在于,將在所述時間段中的最大溫度差是否超過設定值的比較結果傳送至IEMS系統。
5.如權利要求4所述的晶圓位置傾斜的偵測方法,其特征在于,若所述時間段中的最大溫度差小于設定值,則IEMS系統將產品扣留;若所述時間段中的最大溫度差大于等于設定值,則晶圓位置正常,并確認放行。
6.如權利要求1所述的晶圓位置傾斜的偵測方法,其特征在于,所述最大溫度差為在所述時間段中偵測的溫度中最高溫度與最低溫度的差。
7.如權利要求1所述的晶圓位置傾斜的偵測方法,其特征在于,所述熱板的溫度范圍是90°~150°。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410123948.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





