[發明專利]新型倒裝高壓芯片外延片

無效

• 申請號: 201410123492.3
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN103872195A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 陳起偉;施榮華;孫智江;羅建華
• 申請（專利權）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于半導體光電芯片制造領域，尤其涉及一種倒裝高壓LED?芯片及其制造方法。?

背景技術

現有技術中，在高壓LED芯片的各個獨立單元之間、以及芯片內部p電極和n電極之間都需要絕緣工藝來避免漏電流產生。由于高壓芯片單元之間有高深寬比的GaN溝道，因而需要絕緣工藝具有極高的填洞能力，避免高深寬比下填空后留下空洞，此類空洞易造成光的反射，影響發光亮度，并帶有漏電風險。?

發明內容

本發明的目的在于解決高壓倒裝芯片絕緣層工藝中，留下的空洞對發光亮度的影響，以及漏電的危險。?

為了達到上述目的，本發明提供的一種新型倒裝高壓芯片外延片，包括多個LED芯片單元，各個LED芯片單元之間設置切割溝槽相隔離，每個所述的LED芯片單元包括一個獨立的LED芯片器件，該LED芯片器件包括依次設置的藍寶石襯底、n-GaN層、多層量子阱層、p-GaN層，所述的n-GaN層上形成有n型電極，所述的p-GaN層上形成有p型電極，外延片的頂部覆蓋有絕緣熒光層，所述的絕緣熒光層填充于切割溝槽內、僅將用于與外部電連接的n型電極與p型電極露出。?

作為進一步的改進，所述的p-GaN層與p型電極之間設置有透明電極層。?

根據本發明的另一方面，提供了一種新型倒裝高壓芯片外延片，包括多個LED芯片單元，各個LED芯片單元之間設置切割溝槽相隔離，每個所述的LED芯片單元包括多個互連的LED芯片器件，各個LED芯片器件之間設置隔離溝槽相隔離，每個LED芯片器件包括依次設置的藍寶石襯底、n-GaN層、多層量子阱層、p-GaN層，所述的n-GaN層上形成有n型電極，所述的p-GaN層上形成有p型電極，各個LED芯片器件之間的n型電極、p型電極以預定連接方式通過互連線路相互連通，外延片的頂部覆蓋有絕緣熒光層，所述的絕緣熒光層填充于隔離溝槽與切割溝槽內、僅將預留的與外部電連接的n型電極與p型電極露出。?

作為進一步的改進，所述的p-GaN層與p型電極之間設置有透明電極層。?

作為進一步的改進，所述的絕緣熒光層覆蓋于互連線路上。?

根據本發明的另一個方面，提供了一種新型倒裝高壓芯片的制備方法，包括如下步驟：?

S1:在藍寶石襯底上依次制備n-GaN層、多層量子阱層、p-GaN層，所述的n-GaN層上形成有n型電極，所述的p-GaN層上形成有p型電極，通過設置隔離溝槽形成多個獨立的LED芯片器件；

S2:?將各個LED芯片器件之間的n型電極、p型電極以預定連接方式通過互連線路相互連通，從而在外延片上形成多個LED芯片單元，各個LED芯片單元之間通過切割溝槽相隔離；

S3:?在外延片的頂部覆蓋一層絕緣熒光層，所述的絕緣熒光層填充于隔離溝槽與切割溝槽內、僅將預留的與外部電連接的n型電極與p型電極露出；

S4:沿切割溝槽將各個LED芯片單元切割分離。

作為進一步的改進，在所述的p-GaN層與p型電極之間設置透明電極層。?

作為進一步的改進，所述的絕緣熒光層由絕緣材料和熒光材料制備而成。?

作為進一步的改進，所述的絕緣熒光層由絕緣材料和熒光材料通過溶膠-凝膠工藝（Spin-on?Sol-gel）制備而成。?

作為進一步的改進，所述的絕緣材料包括SiO₂。?

由于采用了以上技術方案，本發明采用可融入芯片工藝的發光薄膜作為絕緣層，其布局合理、結構新穎，絕緣熒光層發光效率高、填洞能力強、平整度高、絕緣性能好。?

附圖說明

圖1為根據本發明的新型倒裝高壓芯片外延片的實施例一的剖面結構示意圖；?

圖2為根據本發明的新型倒裝高壓芯片外延片的實施例二的剖面結構示意圖。

圖中：1為藍寶石襯底，2為n-GaN層，3為多層量子阱層，4為p-GaN層，5為透明電極層，6為p型電極，7為熒光絕緣層，8為封裝基板電路（+代表正極，-代表負極），9為封裝基板，10為隔離溝槽，11為切割溝槽；12為p型電極。?

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。?

實施例一?