[發(fā)明專利]新型倒裝高壓芯片外延片

無效

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• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN103872195A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳起偉;施榮華;孫智江;羅建華
• 申請（專利權(quán)）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型倒裝高壓芯片外延片，其特征在于：包括多個(gè)LED芯片單元，各個(gè)LED芯片單元之間設(shè)置切割溝槽（11）相隔離，每個(gè)所述的LED芯片單元包括一個(gè)獨(dú)立的LED芯片器件，該LED芯片器件包括依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底（1）、n-GaN層（2）、多層量子阱層（3）、p-GaN層（4），所述的n-GaN層（2）上形成有n型電極（6），所述的p-GaN層（4）上形成有p型電極（12），外延片的頂部覆蓋有絕緣熒光層（7），所述的絕緣熒光層（7）填充于切割溝槽（11）內(nèi)、僅將用于與外部電連接的n型電極（6）與p型電極（12）露出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型倒裝高壓芯片外延片，其特征在于：所述的p-GaN層（4）與p型電極（12）之間設(shè)置有透明電極層（5）。

3.一種新型倒裝高壓芯片外延片，其特征在于：包括多個(gè)LED芯片單元，各個(gè)LED芯片單元之間設(shè)置切割溝槽（11）相隔離，每個(gè)所述的LED芯片單元包括多個(gè)互連的LED芯片器件，各個(gè)LED芯片器件之間設(shè)置隔離溝槽（10）相隔離，每個(gè)LED芯片器件包括依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底（1）、n-GaN層（2）、多層量子阱層（3）、p-GaN層（4），所述的n-GaN層（2）上形成有n型電極（6），所述的p-GaN層（4）上形成有p型電極（12），各個(gè)LED芯片器件之間的n型電極（6）、p型電極（12）以預(yù)定連接方式通過互連線路（13）相互連通，外延片的頂部覆蓋有絕緣熒光層（7），所述的絕緣熒光層（7）填充于隔離溝槽（10）與切割溝槽（11）內(nèi)、僅將預(yù)留的與外部電連接的n型電極（6）與p型電極（12）露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型倒裝高壓芯片外延片，其特征在于：所述的p-GaN層（4）與p型電極（12）之間設(shè)置有透明電極層（5）。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型倒裝高壓芯片外延片，其特征在于：所述的絕緣熒光層（7）覆蓋于互連線路（13）上。

6.一種新型倒裝高壓芯片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1:在藍(lán)寶石襯底（1）上依次制備n-GaN層（2）、多層量子阱層（3）、p-GaN層（4），所述的n-GaN層（2）上形成有n型電極（6），所述的p-GaN層（4）上形成有p型電極（12），通過設(shè)置隔離溝槽（10）形成多個(gè)獨(dú)立的LED芯片器件；

S2:?將各個(gè)LED芯片器件之間的n型電極（6）、p型電極（12）以預(yù)定連接方式通過互連線路（13）相互連通，從而在外延片上形成多個(gè)LED芯片單元，各個(gè)LED芯片單元之間通過切割溝槽（11）相隔離；

S3:?在外延片的頂部覆蓋一層絕緣熒光層（7），所述的絕緣熒光層（7）填充于隔離溝槽（10）與切割溝槽（11）內(nèi)、僅將預(yù)留的與外部電連接的n型電極（6）與p型電極（12）露出；

S4:沿切割溝槽（11）將各個(gè)LED芯片單元切割分離。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型倒裝高壓芯片的制備方法，其特征在于：在所述的p-GaN層（4）與p型電極（12）之間設(shè)置透明電極層（5）。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型倒裝高壓芯片的制備方法，其特征在于：所述的絕緣熒光層（7）由絕緣材料和熒光材料制備而成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型倒裝高壓芯片的制備方法，其特征在于：所述的絕緣熒光層（7）由絕緣材料和熒光材料通過溶膠-凝膠工藝制備而成。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型倒裝高壓芯片的制備方法，其特征在于：所述的絕緣材料包括SiO2。