[發明專利]一種具有網狀外延結構的超結MOSFET

有效

• 申請號: 201410123064.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103904120B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 孫博韜;王立新;宋李梅;張彥飛;高博
• 申請（專利權）人: 北京中科新微特科技開發股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司11453
• 代理人: 李冬梅

1.一種具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于，包括：襯底、網狀外延層、阱區、結型場效應管JFET區、柵介質層、多晶硅柵極、隔離介質層、金屬源電極以及金屬漏電極；所述網狀外延層生長在所述襯底上；所述阱區與所述結型場效應管JFET區相間生長在所述網狀外延層頂部；所述柵介質層覆蓋在所述阱區與所述結型場效應管JFET區頂部；所述多晶硅柵極覆蓋在所述柵介質層上；所述隔離介質層覆蓋所述多晶硅柵極頂部；所述金屬源電極覆蓋所述隔離介質層；所述金屬漏電極位于所述襯底底部。

2.如權利要求1所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于，所述網狀外延層由多層交疊層堆疊而成；所述交疊層包括：第一導電類型條形結構與第二導電類型條形結構；多個所述第一導電類型條形結構與多個所述第二導電類型條型結構相間排列。

3.如權利要求2所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：相鄰的兩層所述交疊層的第一導電類型條型結構或第二導電類型條型結構的夾角α范圍為：0°～90°。

4.如權利要求2所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：第n層交疊層與第n+（180/α）層交疊層中相同導電類型的條型結構平行；其中n與n+（180/α）為大于等于1的自然數。

5.如權利要求4所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：第n層交疊層與第n+（180/α）層交疊層中相同導電類型的條型結構的中心軸線在水平方向上的距離范圍是0到二分之一個元胞寬度；其中n與n+（180/α）為大于等于1的自然數。

6.如權利要求2～5任一項所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：每層交疊層的厚度范圍是0.5um～20um。

7.如權利要求6所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：每層交疊層的第一導電類型條型結構和第二導電類型條型結構的寬度范圍是0.2um～20um。

8.如權利要求7所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：所述交疊層的層數至少為三層。

9.如權利要求2所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：所述第一導電類型條型結構和所述第二導電類型條型結構的摻雜濃度范圍是：1×10¹⁴～1×10¹⁸。

10.如權利要求2所述的具有網狀外延結構的超結MOSFET，其特征在于：所述第一導電類型條型結構為N型，所述第二導電類型條型結構為P型的N溝道VDMOS；或者所述第一導電類型條型結構為P型，所述第二導電類型條型結構為N型的P溝道VDMOS。