[發明專利]新型高密度高性能多層基板內對稱結構及制作方法

有效

• 申請號: 201410123028.4
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103887184A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 陳靈芝;鄒建安;王孫艷;梁新夫;王新潮
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術領域

本發明涉及一種新型高密度高性能多層基板內對稱結構及制作方法，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

當前高密度基板封裝結構如圖38所示，其制作工藝主要是在玻璃纖維核心材料的基礎上通過鉆通孔及利用積成材料的方式疊加形成多層線路板，線路層之間通過激光鉆盲孔的方式開孔，再鍍孔完成電性連接。

上述高密度基板封裝結構存在以下不足和缺陷：

1、中心芯板材料由樹脂材料及玻纖布材料構成，由于玻纖布本身是一種發泡物質，所以容易因為放置的時間與環境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級；

2、中心芯板材料由于需要確保一定的強度，其厚度一般都要在150um以上，難以做到超薄的要求；同時芯板材料的材質決定了其具有較高的介電常數及介質損耗，影響了高頻高速電子產品的電性能；

3、中心芯板由于帶有玻纖布，材料表面粗糙度較高，難以直接在其表面制作精細線路，更高密度精細線路制作時需要在其表面外加新的打底材料，成本高、工藝復雜；

4、線路層之間的連接是用激光鉆孔方式進行開孔，再進行鍍銅，通過激光鉆孔形成的孔徑大，難以做到高密度的設計與制造。

發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種新型高密度高性能多層基板內對稱結構及制作方法，其工藝簡單，不需使用帶玻璃纖維層的芯板，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環境污染，同時在高頻、高速電子產品上具有更高的電性能；在工藝制作上，基板線路層之間的電性連接采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設計和制造。?

本發明的目的是這樣實現的：一種新型高密度高性能多層基板內對稱結構的制作方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅材

在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜；

步驟三、基板雙面貼光阻膜

在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、光阻膜顯影開窗

利用曝光顯影設備將金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要進行蝕刻的區域圖形；

步驟五、金屬基板正面蝕刻

在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域內蝕刻一定厚度的基板，以露出金屬基板底材；

步驟六、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟七、金屬基板表面預鍍銅材

在金屬基板蝕刻區域表面電鍍一層銅材薄膜；

步驟八、基板雙面貼光阻膜

在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟九、光阻膜顯影開窗

利用曝光顯影設備將金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續需要進行銅柱電鍍的區域圖形；

步驟十、電鍍銅柱

在步驟四九中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域內電鍍上金屬線路層作為連接銅柱；

步驟十一、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十二、包封

在金屬基板正面采用塑封料進行塑封；

步驟十三、絕緣材料表面減薄

對絕緣材料的表面進行機械減薄，減薄到露出銅柱為止；

步驟十四、基板雙面貼光阻膜

在步驟十三完成絕緣材料減薄的金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十五、光阻膜顯影開窗

利用曝光顯影設備將金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行蝕刻的區域圖形；

步驟十六、去除金屬基板

將金屬基板背面進行蝕刻，去除金屬基板，露出中心芯板的銅柱和絕緣材料；

步驟十七、去除光阻膜

去除基板表面的光阻膜；

步驟十八、基板雙面金屬化

對基板絕緣材料正反面進行金屬化處理，使其表面后續能進行電鍍；

步驟十九、基板雙面貼光阻膜

在步驟十八完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟二十、基板雙面光阻膜顯影開窗

利用曝光顯影設備將金屬化的基板正面及背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續需要進行二層線路層和三層線路層電鍍的區域圖形；

步驟二十一、電鍍金屬線路層