[發明專利]新型高密度高性能多層基板內對稱結構及制作方法有效
| 申請號: | 201410123028.4 | 申請日: | 2014-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN103887184A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 陳靈芝;鄒建安;王孫艷;梁新夫;王新潮 | 申請(專利權)人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 新型 高密度 性能 多層 基板內 對稱 結構 制作方法 | ||
1.一種新型高密度高性能多層基板內對稱結構的制作方法,其特征在于所述方法包括以下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預鍍銅材
在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜;
步驟三、基板雙面貼光阻膜
在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟四、光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設備將金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板正面后續需要進行蝕刻的區域圖形;
步驟五、金屬基板正面蝕刻
在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域內蝕刻一定厚度的基板,以露出金屬基板底材;
步驟六、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟七、金屬基板表面預鍍銅材
在金屬基板蝕刻區域表面電鍍一層銅材薄膜;
步驟八、基板雙面貼光阻膜
在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟九、光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設備將金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板正面后續需要進行銅柱電鍍的區域圖形;
步驟十、電鍍銅柱
在步驟四九中金屬基板正面去除部分光阻膜的區域內電鍍上金屬線路層作為連接銅柱;
步驟十一、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十二、包封
在金屬基板正面采用塑封料進行塑封;
步驟十三、絕緣材料表面減薄
對絕緣材料的表面進行機械減薄,減薄到露出銅柱為止;
步驟十四、基板雙面貼光阻膜
在步驟十三完成絕緣材料減薄的金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟十五、光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設備將金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板背面后續需要進行蝕刻的區域圖形;
步驟十六、去除金屬基板
將金屬基板背面進行蝕刻,去除金屬基板,露出中心芯板的銅柱和絕緣材料;
步驟十七、去除光阻膜
去除基板表面的光阻膜;
步驟十八、基板雙面金屬化
對基板絕緣材料正反面進行金屬化處理,使其表面后續能進行電鍍;
步驟十九、基板雙面貼光阻膜
在步驟十八完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟二十、基板雙面光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設備將金屬化的基板正面及背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬化的基板正面及背面后續需要進行二層線路層和三層線路層電鍍的區域圖形;
步驟二十一、電鍍金屬線路層
在步驟二十中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上金屬線路層作為二層線路層和三層線路層;
步驟二十二、基板雙面貼光阻膜
在步驟二十一中完成二層線路層和三層線路層電鍍的基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟二十三、基板雙面光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設備將基板正面及背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出基板正面二層線路層及背面三層線路層后續需要進行連接銅柱電鍍的區域圖形;
步驟二十四、電鍍銅柱
在步驟二十三中基板正面二層線路層及背面三層線路層去除部分光阻膜的區域內電鍍上金屬線路層作為連接銅柱;
步驟二十五、去除光阻膜
去除基板雙面的光阻膜;
步驟二十六、快速蝕刻
對基板雙面進行快速蝕刻,去除基板表面金屬化的金屬;
步驟二十七、基板雙面覆蓋絕緣材料層
基板二層線路層表面和三層線路層表面覆蓋絕緣材料;
步驟二十八、絕緣材料表面減薄
將基板雙面的絕緣材料進行機械減薄,直到露出銅柱層為止;
步驟二十九、基板雙面絕緣材料表面金屬化
對基板雙面絕緣材料的表面同時進行金屬化處理,使其表面后續能進行電鍍;
步驟三十、基板雙面貼光阻膜
在步驟二十九完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟三十一、基板雙面光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設備將金屬化的基板正面及背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬化的基板正面及背面后續需要進行一層線路層和四層線路層電鍍的區域圖形;
步驟三十二、電鍍金屬線路層
在步驟三十一中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區域內同時電鍍上金屬線路層作為一層線路層和四層線路;
步驟三十三、去除光阻膜
去除金屬化的基板正面及背面的光阻膜;
步驟三十四、快速蝕刻
對金屬化的基板雙面進行快速蝕刻,去除基板表面金屬化的金屬;
步驟三十五、基板雙面覆蓋絕緣感光材料層
在基板正面一層線路層及背面四層線路層分別刷上可進行曝光顯影的絕緣感光材料;
步驟三十六、基板雙面絕緣感光材料層顯影開窗
利用曝光顯影設備將基板正面一層線路層及背面四層線路層進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形絕緣感光材料,以露出基板的正面一層線路層后續需要一層線路層裝片的區域圖形和背面四層線路層后續需要四層線路層植球的區域圖形。
2.一種采用權利要求1所述的制作方法制備的新型高密度高性能多層基板內對稱結構,其特征在于:它包括自上而下依次布置的一層線路層(1)、二層線路層(2)、三層線路層(3)和四層線路層(4),所述一層線路層(1)和二層線路層(2)之間通過第一連接銅柱(5)相連接,所述第二線路層(2)與三層線路層(3)之間通過第二連接銅柱(6)相連接,所述三層線路層(3)與四層線路層(4)之間通過第三連接銅柱(7)相連接,所述第二連接銅柱(6)外圍包封有塑封料(8),所述二層線路層(2)和第一連接銅柱(5)外圍以及三層線路層(3)和第三連接銅柱(7)外圍包覆有絕緣材料(9),所述一層線路層(1)和四層線路層(4)表面及外圍包覆有絕緣感光材料(10),所述絕緣感光材料(10)在一層線路層(1)正面位置開設有裝片區域(11),絕緣感光材料(10)在四層線路層(4)背面位置開設有植球區域(12)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





