[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410122807.2
• 申請(qǐng)日: 2014-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN103915451A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔承鎮(zhèn);牛菁;孫雙;張方振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD）具有體積小，功耗低，無輻射等特點(diǎn)，近年來得到迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。

TFT-LCD的主體結(jié)構(gòu)為液晶面板，液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子層。陣列基板上形成有數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，簡(jiǎn)稱TFT）和像素電極。TFT的柵電極與柵線電性連接，源電極與數(shù)據(jù)線電性連接，漏電極與像素電極電性連接。其中，柵電極與柵線由同一柵金屬膜層形成，源電極、漏電極與數(shù)據(jù)線由同一源漏電極膜層形成。液晶面板還包括公共電極，與像素電極之間產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。TFT-LCD的顯示原理為：通過柵線驅(qū)動(dòng)電路依次向每行柵線輸入掃描信號(hào)，逐行打開每一行的TFT。當(dāng)某行的TFT為打開狀態(tài)時(shí)，通過數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路向每列數(shù)據(jù)線輸入像素電壓，并通過源電極將該像素電壓施加到像素電極上，從而控制公共電極與像素電極之間產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)一定灰階的顯示。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了降低像素電壓在傳輸過程中的損耗，源漏電極金屬通常采用銅Cu，以降低數(shù)據(jù)線的電阻。但是Cu很容易發(fā)生氧化，如果在漏電極制作完成之后，再制作像素電極，會(huì)在漏電極的表面形成氧化銅，導(dǎo)致漏電極與像素電極的電性連接不良，造成像素單元顯示不良，嚴(yán)重影響顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，用以解決在漏電極制作完成之后，再制作像素電極時(shí)，漏電極的表面會(huì)形成氧化銅，導(dǎo)致漏電極與像素電極的電性連接不良，造成像素單元顯示不良，嚴(yán)重影響顯示品質(zhì)的問題。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，采用上述的陣列基板，提高了產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述像素電極與所述漏電極電性連接，其中，所述漏電極包括源漏金屬層和抗氧化的導(dǎo)電層，所述像素電極與所述抗氧化的導(dǎo)電層電性接觸。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，采用如上所述的陣列基板。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

在一襯底基板上形成源漏電極膜層，對(duì)所述源漏電極膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源電極和漏電極；

在所述襯底基板上形成第一透明導(dǎo)電膜層，對(duì)所述第一透明導(dǎo)電膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成像素電極，其中，制作薄膜晶體管的漏電極的步驟還包括：

形成抗氧化的導(dǎo)電膜層，對(duì)所述抗氧化的導(dǎo)電膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成抗氧化的導(dǎo)電層，所述像素電極與所述抗氧化的導(dǎo)電層電性接觸。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

上述技術(shù)方案中，當(dāng)薄膜晶體管的漏電極為容易被氧化的源漏金屬時(shí)，通過設(shè)置薄膜晶體管的漏電極包括源漏金屬層和抗氧化的導(dǎo)電層，所述像素電極與所述抗氧化的導(dǎo)電層電性接觸，實(shí)現(xiàn)電性連接，可以保證像素電極和漏電極的電性連接良好，提高顯示器的顯示品質(zhì)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2表示圖1沿A-A方向的剖視圖；

圖3-圖6表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的制備過程示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)有技術(shù)中當(dāng)薄膜晶體管陣列基板的數(shù)據(jù)線采用容易被氧化的源漏金屬（如：銅），特別的，當(dāng)在通過一次構(gòu)圖工藝形成漏電極后，再在漏電極上方通過另一次構(gòu)圖工藝形成像素電極時(shí)，會(huì)在與數(shù)據(jù)線采用同一源漏電極膜層形成的漏電極的表面形成金屬氧化物，導(dǎo)致漏電極與像素電極的電性連接不良。本發(fā)明針對(duì)上述問題，提供一種陣列基板及其制造方法，通過設(shè)置薄膜晶體管的漏電極包括源漏金屬層和抗氧化的導(dǎo)電層，所述像素電極與所述抗氧化的導(dǎo)電層電性接觸，實(shí)現(xiàn)電性連接，從而可以保證像素電極和漏電極的電性連接良好，提高顯示器的顯示品質(zhì)。

此處的電性接觸包括：