[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410122807.2
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103915451A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 崔承鎮;牛菁;孫雙;張方振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

1.一種陣列基板，包括數據線和柵線，以及由數據線和柵線限定的多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極電性連接，其特征在于，

所述漏電極包括源漏金屬層和抗氧化的導電層，所述像素電極與所述抗氧化的導電層電性接觸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏電極中，所述源漏金屬層搭接在所述抗氧化導電層的上方，露出部分所述抗氧化的導電層。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極搭接在所述漏電極的源漏金屬層和抗氧化的導電層的上方。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極，所述公共電極包括多個狹縫，位于所述像素電極上方，所述公共電極和像素電極之間形成有鈍化層。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源電極包括源漏金屬層和抗氧化的導電層；

所述數據線包括源漏金屬層和抗氧化的導電層。

6.根據權利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏金屬層的材料為銅。

7.根據權利要求1-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述抗氧化的導電層的材料為MoNb、MoW或MoTi中的一種或多種。

8.一種顯示裝置，采用權利要求1-7任一項所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的制造方法，包括：

在一襯底基板上形成源漏電極膜層，對所述源漏電極膜層進行構圖工藝，形成數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極；

在形成有所述數據線、源電極和漏電極的所述襯底基板上形成第一透明導電膜層，對所述第一透明導電膜層進行構圖工藝，形成像素電極，其特征在于，制作所述薄膜晶體管的漏電極的步驟還包括：

形成抗氧化的導電膜層，對所述抗氧化的導電膜層進行構圖工藝，形成抗氧化的導電層，所述像素電極與所述抗氧化的導電層電性接觸。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述漏電極中，所述源漏金屬層搭接在所述抗氧化導電層的上方，露出部分所述抗氧化導電層。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，形成數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極的步驟包括：

在所述襯底基板上依次形成抗氧化的導電膜層和源漏電極膜層；

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠；

采用灰色調或半色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域和光刻膠不保留區域，其中，光刻膠完全保留區域至少對應漏電極的源漏金屬層、數據線和源電極所在的區域，光刻膠半保留區域至少對應漏電極中露出的部分抗氧化的導電層所在的區域，光刻膠不保留區域對應其他區域；

刻蝕掉光刻膠不保留區域的抗氧化的導電膜層和源漏電極膜層；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，并刻蝕掉光刻膠半保留區域的源漏電極膜層；

剝離剩余的光刻膠，形成數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極。

12.根據權利要求9-11任一項所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述像素電極的步驟之后還包括：

在形成有所述像素電極的襯底基板上形成鈍化層；

在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成第二透明導電膜層；

對所述第二透明導電膜層進行構圖工藝，形成公共電極，其中，所述公共電極包括多個狹縫。

13.根據權利要求9-11任一項所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述數據線、所述源電極和所述漏電極的步驟之前還包括：

在所述襯底基板上形成柵金屬膜層，對所述柵金屬膜層進行構圖工藝，形成柵線和薄膜晶體管的柵電極；

在所述柵電極和柵線上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有源層膜層，對所述有源層膜層進行構圖工藝，形成有源層；

在所述有源層上形成刻蝕阻擋層膜層，對所述刻蝕阻擋層膜層進行構圖工藝，在對應所述薄膜晶體管的源電極和漏電極對應的部分形成過孔，所述薄膜晶體管的源電極和漏電極通過所述過孔與所述有源層電連接。