[發明專利]定義最佳電子束對焦點的方法有效
| 申請號: | 201410122490.2 | 申請日: | 2014-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN104952763B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 舒強 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G03F1/38 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李時云 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定義 最佳 電子束 焦點 方法 | ||
1.一種定義最佳電子束對焦點的方法,包括步驟:
提供多個對焦點,在同一對焦點的光學模型建立時,選取多個閥值位置;
在某一個閥值位置上,通過調節電子束對焦點,得出符合工藝要求的特征尺寸大小,依次類推,由多個閥值得出多個特征尺寸大??;
對于不同的對焦點,由閥值和特征尺寸的關系,得出兩者之間的線性關系式:
y=a+k*x,其中,y為特征尺寸大小,a為常數,k為線性系數,x為閥值位置;
依次類推,得出多個對焦點中特征尺寸和閥值關系式的k值,比較所有k的大小,選取k絕對值最小時對應的電子束對焦點為最佳電子束對焦點。
2.如權利要求1所述的定義最佳電子束對焦點的方法,其特征在于,在定義出最佳電子束對焦點之后,通過形成的實際特征尺寸大小和工藝要求的特征尺寸大小之間的偏差對閥值位置進行微調。
3.如權利要求2所述的定義最佳電子束對焦點的方法,其特征在于,所述對焦點的個數大于等于100個。
4.如權利要求2所述的定義最佳電子束對焦點的方法,其特征在于,一個對焦點上閥值位置的個數大于等于5個。
5.如權利要求2所述的定義最佳電子束對焦點的方法,其特征在于,實際特征尺寸和工藝要求特征尺寸的偏差范圍小于等于10%時符合工藝要求。
6.如權利要求1所述的定義最佳電子束對焦點的方法,其特征在于,均勻選取或者隨機選取的多個閥值位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





