[發(fā)明專利]定義最佳電子束對焦點的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410122490.2
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN104952763B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 舒強
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F1/38
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種定義最佳電子束對焦點的方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中，通常光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（Optical Proximity Correction，OPC）模型建立時需要先建立光學(xué)模型（Optical model），然后依據(jù)光學(xué)模型得到實際光阻模型（Resist model）。

請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中由光學(xué)模型得到實際光阻模型的示意圖；其中，實際光阻模型2為在晶圓10的表面形成具有特征尺寸（CD）的光阻20，光學(xué)模型1中有兩個重要的參數(shù)能夠直接決定形成實際光阻模型2的CD大小，其中一個參數(shù)是電子束對焦點位置（Beam focus），另一個參數(shù)則是閥值（Threshold）。圖1中，當光強確定時，若Threshold的位置發(fā)生改動，則形成的CD大小也會隨著變動；同時，當Threshold的位置固定時，若電子束的形貌發(fā)生了改變，則形成的CD大小也會發(fā)生改變。由于電子束的形貌可以由電子束對焦位置來決定，即電子束對焦點能夠調(diào)節(jié)電子束的形貌，因此，形成的CD大小可以通過電子束對焦點以及Threshold的定位來決定。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常情況下電子束對焦點僅僅是根據(jù)個人經(jīng)驗來進行設(shè)定，因此會存在一定的偏差，想要得到預(yù)想的CD大小，就必須通過調(diào)節(jié)Threshold的位置來實現(xiàn)。然而，電子束對焦點依然還是存在偏差，不是最佳的電子束對焦點，調(diào)節(jié)Threshold的位置也僅僅是滿足晶圓局部的CD大小要求，也就是說，采用此種方式，得到的CD大小在晶圓的某一局部是符合要求，但是在晶圓的其他區(qū)域無法達到工藝要求。

因此，想要得到滿足晶圓整體CD大小的光學(xué)模型，必須是電子束對焦點和Threshold同時達到最佳，不能存在偏差。那么，如何達到上述效果，便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種定義最佳電子束對焦點的方法，能夠定義出最佳的電子束對焦點，滿足晶圓整體CD大小的要求。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種定義最佳電子束對焦點的方法，包括步驟：

提供多個對焦點，在同一對焦點的光學(xué)模型建立時，選取多個閥值位置；

在某一個閥值位置上，通過調(diào)節(jié)電子束對焦點，得出符合工藝要求的CD大小，依次類推，由多個閥值得出多個CD大小；

對于不同的對焦點，由閥值和CD的關(guān)系，得出兩者之間的線性關(guān)系式：

y=a+k*x，其中，y為CD大小，a為常數(shù)，k為線性系數(shù)，x為閥值位置；

依次類推，得出多個對焦點中CD和閥值關(guān)系式的k值，比較所有k的大小，選取k絕對值最小時對應(yīng)的電子束對焦點為最佳電子束對焦點。

進一步的，在定義出最佳電子束對焦點之后，通過形成的實際CD大小和工藝要求的CD大小之間的偏差對閥值位置進行微調(diào)。

進一步的，所述對焦點的個數(shù)大于等于100個。

進一步的，一個對焦點上閥值位置的個數(shù)大于等于5個。

進一步的，實際CD和工藝要求CD的偏差范圍小于等于10%時符合工藝要求。

進一步的，均勻選取或者隨機選取的多個閥值位置。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：在同一個對焦點上選擇多個閥值位置得出CD與閥值位置之間的線性關(guān)系，比較多個對焦點中所有線性系數(shù)k絕對值的大小，得到k值最接近于0時所對應(yīng)的電子束對焦點，將其定義為最佳電子束焦點，從而能夠滿足晶圓整體CD大小的要求，避免出現(xiàn)局部CD符合工藝要求其它區(qū)域不符合工藝要求的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中由光學(xué)模型得到實際光阻模型的示意圖；

圖2至圖4為本發(fā)明一實施例中不同電子束對焦點、閥值位置以及線性系數(shù)k之間的關(guān)系示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的定義最佳電子束對焦點的方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。