[發明專利]一種陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201410121807.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103887245B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/027
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙)44238
• 代理人: 潘中毅,熊賢卿

1.一種陣列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅陣列基板，其特征在于，包括如下步驟：

在玻璃基板上采用第一道光罩工藝，形成柵極金屬層和像素電極圖案，所述第一道光罩工藝為半調式光罩工藝；

采用第二道光罩工藝，形成柵極絕緣層、半導體層圖案，所述第二道光罩工藝為半調式光罩工藝；

采用第三道光罩工藝，形成源/漏極金屬層和溝道；

采用第四道光罩工藝，形成鈍化層。

2.如權利要求1的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工藝，形成柵極金屬層和像素電極圖案的步驟包括：

在所述玻璃基板上沉積預定厚度的像素電極層以及柵極金屬層，并涂覆光刻膠；

采用半調式光罩工藝對所述光刻膠進行曝光顯影；

然后對柵金屬層進行第一次濕刻，對像素電極層進行濕刻，并去除部份光刻膠；然后對柵金屬層進行第二次濕刻并剝離相應光刻膠，形成柵極金屬層和像素電極圖案。

3.如權利要求2所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板沉積預定厚度的像素電極層以及柵極金屬層的步驟具體為：

采用濺射或熱蒸發的方法在所述玻璃基板上沉積厚度為1000???~6000?的柵金屬薄膜，以及沉積厚度為100~1000?的ITO像素電極層或IZO像素電極層。

4.如權利要求3所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用第二道光罩工藝，形成柵極絕緣層、半導體層圖案的步驟包括：

在形成有柵極金屬層和像素電極圖案的玻璃基板上，沉積預定厚度的柵絕緣層以及半導體層薄膜，并涂覆光刻膠；

采用半調式光罩工藝對所述光刻膠進行曝光顯影案；

然后對位于溝道上的絕緣保護層進行干刻以及對半導體層進行第一次干刻，去除部份光刻膠；然后對半導體層進行第二次干刻，并剝離相應光刻膠，形成柵極絕緣層和半導體層圖案。

5.如權利要求4所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵極金屬層和像素電極圖案的玻璃基板上，沉積預定厚度的柵絕緣層以及半導體層薄膜的步驟具體為：

采用化學氣相沉積方法，在所述形成有柵極金屬層和像素電極圖案的玻璃基板上依次沉積厚度為2000???~5000?的柵絕緣層、厚度為1000???~3000?的半導體層薄膜。

6.如權利要求5所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用第三道光罩工藝，形成源/漏極金屬層和溝道的步驟包括：

在所述形成有形成柵極絕緣層、半導體層圖案的玻璃基板上沉積預定厚度的源漏金屬薄膜，并涂覆光刻膠；

采用第三道光罩工藝進行曝光顯影，對源漏金屬層薄膜進行濕刻，對溝道進行干刻，并剝離相應的光刻膠，形成源極金屬層、漏極金屬層和溝道。

7.如權利要求6所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有形成柵極絕緣層、半導體層圖案的玻璃基板上沉積預定厚度的源漏金屬薄膜的步驟具體為：

采用磁控濺射或熱蒸發方法，沉積厚度為1000???~6000?的源漏金屬薄膜。

8.如權利要求7所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過第四道光罩工藝，形成鈍化層的步驟包括：

在所述形成有源源極金屬層、漏極金屬層和溝道的玻璃基板上沉積一層鈍化層，并涂覆光刻膠；

采用第四道光罩工藝進行曝光顯影、干刻，形成鈍化層圖形；

并剝離相應光刻膠。

9.如權利要求8所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有源源極金屬層、漏極金屬層和溝道的玻璃基板上沉積一層鈍化層的步驟具體為：

在形成有源源極金屬層、漏極金屬層和溝道的玻璃基板上通過化學氣相沉淀法沉積一層厚度為1000~3000?的鈍化層。

10.如權利要求1-9任一項所述的一種陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述化學氣相沉淀法為等離子體增強化學氣相沉淀法，所述柵絕緣層和鈍化層采用SiNx，所述半導體層薄膜為非晶硅a-Si半導體薄膜。