[發明專利]一種陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201410121807.0
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103887245B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/027
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙)44238
• 代理人: 潘中毅,熊賢卿

技術領域

本發明涉及有機發光二極管（Organic?Light?Emitting?Diode，OLED）顯示器的制造技術，特別涉及一種陣列基板的制造方法，用于制造OLED顯示器的薄膜場效應晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）陣列基板。

背景技術

近年來，顯示技術得到快速的發展，平板顯示器已取代笨重的CRT?顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括液晶顯示器LCD(Liquid?Crystal?Display)?和有機發光二極管OLED(Organic?Light-Emitting?Diode)?顯示器。上述平板顯示器具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。平板顯示器的陣列基板上，每一個像素配備了用于控制該像素的開關，即薄膜場效應晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT），TFT?至少包含柵電極，源、漏極以及柵絕緣層和有源層。通過驅動電路可以獨立控制每一個像素，同時不會對其他像素造成串擾等的影響。

傳統的高分辨率OLED通常采用低溫多晶硅（Low?Temperature?Poly-silicon，LTPS）陣列基板，而LTPS陣列基板通常采用9到13道光罩工藝，工藝流程較為復雜。

而對于適用于低分辨率面板的非晶硅（a-Si）陣列基板，如果還采用如LTPS陣列基板通常采用9到13道光罩工藝，不但工藝流程復雜，而且成本高。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供陣列基板的制造方法，適用于制造低分辨率OLED顯示面板的a-Si陣列基板，可以減少掩膜板的使用量，從而降低生產成本。

為了解決上述技術問題，本發明的實施例的一方面提供了一種陣列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅陣列基板，包括如下步驟：

在玻璃基板上采用第一道光罩工藝，形成柵極金屬層和像素電極圖案，所述第一道光罩工藝為半調式光罩工藝；

采用第二道光罩工藝，形成柵極絕緣層、半導體層圖案，所述第二道光罩工藝為半調式光罩工藝；

采用第三道光罩工藝，形成源/漏極金屬層和溝道；

采用第四道光罩工藝，形成鈍化層。

其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工藝，形成柵極金屬層和像素電極圖案的步驟包括：

在所述玻璃基板上沉積預定厚度的像素電極層以及柵極金屬層，并涂覆光刻膠；

采用半調式光罩工藝對所述光刻膠進行曝光顯影；

然后對柵金屬層進行第一次濕刻，對像素電極層進行濕刻，并去除部份光刻膠；然后對柵金屬層進行第二次濕刻并剝離相應光刻膠，形成柵極金屬層和像素電極圖案。

其中，所述在玻璃基板沉積預定厚度的像素電極層以及柵極金屬層的步驟具體為：

采用濺射或熱蒸發的方法在所述玻璃基板上沉積厚度為1000???~6000?的柵金屬薄膜，以及沉積厚度為100~1000?的ITO像素電極層或IZO像素電極層。

其中，所述采用第二道光罩工藝，形成柵極絕緣層、半導體層圖案的步驟包括：

在形成有柵極金屬層和像素電極圖案的玻璃基板上，沉積預定厚度的柵絕緣層以及半導體層薄膜，并涂覆光刻膠；

采用半調式光罩工藝對所述光刻膠進行曝光顯影；

然后對位于溝道上的絕緣保護層進行干刻以及對半導體層進行第一次干刻，去除部份光刻膠；然后對半導體層進行第二次干刻，并剝離相應光刻膠，形成柵極絕緣層和半導體層圖案。

其中，所述在形成有柵極金屬層和像素電極圖案的玻璃基板上，沉積預定厚度的柵絕緣層以及半導體層薄膜的步驟具體為：

采用化學氣相沉積方法，在所述形成有柵極金屬層和像素電極圖案的玻璃基板上依次沉積厚度為2000???~5000?的柵絕緣層、厚度為1000???~3000?的半導體層薄膜。

其中，所述采用第三道光罩工藝，形成源/漏極金屬層和溝道的步驟包括：

在所述形成有形成柵極絕緣層、半導體層圖案的玻璃基板上沉積預定厚度的源漏金屬薄膜，并涂覆光刻膠；

采用第三道光罩工藝進行曝光顯影，對源漏金屬層薄膜進行濕刻，對溝道進行干刻，并剝離相應的光刻膠，形成源極金屬層、漏極金屬層和溝道。

其中，所述在形成有形成柵極絕緣層、半導體層圖案的玻璃基板上沉積預定厚度的源漏金屬薄膜的步驟具體為：

采用磁控濺射或熱蒸發方法，沉積厚度為1000???~6000?的源漏金屬薄膜。

其中，所述通過第四道光罩工藝，形成鈍化層的步驟包括：