[發(fā)明專利]一種ITO粗化的GaN基LED芯片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410121785.8 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103904183B | 公開（公告）日： | 2017-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃華茂;王洪;胡金勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/22 | 分類號(hào)： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 ito gan led 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
（A）使用電子束蒸發(fā)在GaN基LED外延片表面沉積一層ITO作為透明導(dǎo)電層；
（B）將步驟（A）得到的基片置入稀鹽酸溶液進(jìn)行無(wú)掩模的濕法腐蝕；
（C）使用去離子水清洗步驟（B）得到的基片后放入烤箱烘烤；
（D）在步驟（C）烘烤后的基片表面涂覆一層增粘劑；
（E）再涂覆一層正性或負(fù)性光刻膠，在熱板上烘烤后，使用具有微米尺寸結(jié)構(gòu)的光刻掩模版進(jìn)行普通紫外曝光，并再次在熱板上烘烤；
（F）將步驟（E）得到的基片置入顯影液中顯影；
（G）使用去離子水清洗后放入烤箱烘烤；
（H）再置入稀鹽酸溶液進(jìn)行有掩模的濕法腐蝕；
（I）去除光刻膠后高溫退火。
2.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于步驟（A）中所述電子束蒸發(fā)工藝為：蒸鍍過(guò)程氧氣流量為1sccm~20sccm，沉積溫度為150℃~300℃，ITO的厚度為100nm~1000nm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于步驟（B）和（H）中所述濕法腐蝕工藝為：鹽酸濃度為3wt%~50wt%，腐蝕溫度為10℃~80℃，腐蝕時(shí)間根據(jù)鹽酸濃度和腐蝕溫度調(diào)整，腐蝕時(shí)間5sec~60min。
4.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于制備步驟（C）和（G）中烤箱烘烤工藝為：溫度為50℃~200℃，烘烤時(shí)間為30sec~60min。
5.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于步驟（D）中增粘劑涂覆工藝是真空蒸注技術(shù)和旋涂技術(shù)中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于步驟（E）中熱板烘烤工藝的烘烤的時(shí)間不超過(guò)3min，溫度不超過(guò)120℃。
7.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于，步驟（F）中所述顯影工藝中，顯影液使用磁力攪拌、循環(huán)泵、毛刷輥、人工晃動(dòng)攪拌方法中的一種以上，顯影液溫度波動(dòng)不超過(guò)4℃，溫度均勻性優(yōu)于±2℃。
8.如權(quán)利要求1所述的一種ITO粗化的GaN基LED芯片的制備方法，其特征在于步驟（I）所述退火工藝是在惰性氣氛下進(jìn)行，退火溫度為300℃~800℃，退火時(shí)間為3min~60min。
9.由權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述制備方法制得的ITO粗化的GaN基LED芯片。
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