[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備工藝加工異常處理的方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410119427.3 | 申請日: | 2014-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN104952761B | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李娟娟 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體設(shè)備 工藝 加工 異常 處理 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備工藝加工異常處理的方法,其特征在于,包括以下步驟:
檢測工藝加工過程是否出現(xiàn)異常;
當(dāng)所述工藝加工過程出現(xiàn)異常時,停止當(dāng)前工藝步驟,并拋出阻塞型報警;
根據(jù)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式執(zhí)行相應(yīng)的操作;
所述預(yù)設(shè)異常處理模式為多個,不同的所述預(yù)設(shè)異常處理模式包括不同的操作步驟組合;
所述預(yù)設(shè)異常處理模式包括第一預(yù)設(shè)異常處理模式,第二預(yù)設(shè)異常處理模式,第三預(yù)設(shè)異常處理模式,第四預(yù)設(shè)異常處理模式,第五預(yù)設(shè)異常處理模式,第六預(yù)設(shè)異常處理模式,第七預(yù)設(shè)異常處理模式,第八預(yù)設(shè)異常處理模式,第九預(yù)設(shè)異常處理模式,以及第十預(yù)設(shè)異常處理模式中的一種以上的組合;
所述根據(jù)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式執(zhí)行相應(yīng)的操作,包括以下步驟:
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第一預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制繼續(xù)執(zhí)行工藝表單中的下一工藝步驟;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第二預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制重新執(zhí)行當(dāng)前工藝步驟;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第三預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制繼續(xù)執(zhí)行當(dāng)前工藝步驟;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第四預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制停止工藝加工過程,等待處理;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第五預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制執(zhí)行解除卡盤吸附的工藝步驟,并按工藝過程正常結(jié)束傳出物料;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第六預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制執(zhí)行解除卡盤吸附的工藝步驟,并按指定路徑傳出物料;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第七預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制執(zhí)行解除卡盤吸附的工藝步驟,并將物料直接傳輸回原點;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第八預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制按工藝過程正常結(jié)束傳出物料;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第九預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制按指定路徑傳出物料;
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第十預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制將物料直接傳輸回原點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備工藝加工異常處理的方法,其特征在于,還包括以下步驟:
當(dāng)所述工藝加工過程未出現(xiàn)異常時,控制根據(jù)工藝表單繼續(xù)執(zhí)行下一工藝步驟,直至完成所述工藝表單中的所有工藝步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備工藝加工異常處理的方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)異常處理模式還包括第十一預(yù)設(shè)異常處理模式;
所述根據(jù)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式執(zhí)行相應(yīng)的操作,還包括以下步驟:
當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第十一預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制結(jié)束當(dāng)前工藝加工過程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備工藝加工異常處理的方法,其特征在于,所述當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第六預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制執(zhí)行解除卡盤吸附的工藝步驟,并按指定路徑傳出物料,包括以下步驟:
設(shè)置當(dāng)前工藝步驟序號為所述解除卡盤吸附工藝步驟對應(yīng)的工藝步驟序號,并設(shè)置指定路徑輸出標(biāo)志有效;
按照工藝表單中的工藝步驟執(zhí)行順序執(zhí)行所述解除卡盤吸附工藝步驟及后續(xù)工藝步驟;
完成所述工藝表單中的所有工藝步驟后,判斷所述指定路徑輸出標(biāo)志是否有效,若是,則按指定路徑傳出物料;
所述當(dāng)所選擇的預(yù)設(shè)異常處理模式為第七預(yù)設(shè)異常處理模式時,控制執(zhí)行解除卡盤吸附的工藝步驟,并將物料直接傳輸回原點,包括以下步驟:
設(shè)置當(dāng)前工藝步驟序號為所述解除卡盤吸附工藝步驟對應(yīng)的工藝步驟序號,并設(shè)置傳回原點標(biāo)志有效;
按照工藝表單中的工藝步驟執(zhí)行順序執(zhí)行所述解除卡盤吸附工藝步驟及后續(xù)工藝步驟;
完成所述工藝表單中的所有工藝步驟后,判斷所述傳回原點標(biāo)志是否有效,若是,則將物料直接傳輸回原點。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





