[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410119387.2
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN104078462B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李多淳;崔瑩石;樸廷珪;李吉浩;鄭顯泰;鄭明安;閔禹植;姜泌洆
• 申請（專利權(quán)）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/762;H01L21/764
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底中形成第二導電型的第一阱區(qū)以及第二導電型的第二阱區(qū)；

形成摻雜劑濃度低于所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)的低摻雜劑濃度阱區(qū)；

在第二導電型的所述低摻雜劑濃度阱區(qū)中形成第一導電型本體區(qū)；

在襯底上形成第一柵電極和第二柵電極；

在所述襯底中形成深溝槽；

在所述深溝槽的側(cè)表面上和所述襯底上形成側(cè)壁絕緣膜；

對形成在所述襯底上的所述側(cè)壁絕緣膜進行回蝕刻；以及

在所述襯底和所述側(cè)壁絕緣膜上沉積層間絕緣膜以形成在所述深溝槽內(nèi)的氣隙，

其中所述第一柵電極和所述第二柵電極二者與所述第一導電型本體區(qū)交疊，以及

其中通過雜質(zhì)在所述第二導電型的第一阱區(qū)以及所述第二導電型的第二阱區(qū)中的擴散來形成第二導電型的所述低摻雜劑濃度阱區(qū)。

2.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上形成柵電極；

在所述襯底中形成深溝槽；

在所述深溝槽上沉積第一側(cè)壁絕緣膜；

移除所述第一側(cè)壁絕緣膜的一部分；

沉積第二側(cè)壁絕緣膜；

移除所述第二側(cè)壁絕緣膜的一部分；以及

在所述襯底和所述深溝槽上沉積層間絕緣材料以形成氣隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導體器件的方法，還包括：

在形成所述深溝槽之前，在所述柵電極上形成絕緣膜并且在所述絕緣膜上形成硬掩模膜，其中所述硬掩模膜在形成所述深溝槽的期間用作蝕刻掩模；

在形成所述深溝槽之后，在所述深溝槽的表面上形成氧化膜；以及

在所述深溝槽的底部處形成溝道阻止區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中沉積所述第一側(cè)壁絕緣膜和沉積所述第二側(cè)壁絕緣膜另外實施一次或更多次。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中移除所述第一側(cè)壁絕緣膜的一部分和移除所述第二側(cè)壁絕緣膜的一部分另外實施一次或更多次。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導體器件的方法，其中在沉積所述第一側(cè)壁絕緣膜和沉積所述第二側(cè)壁絕緣膜之后，或者在移除所述第一側(cè)壁絕緣膜的一部分和移除所述第二側(cè)壁絕緣膜的一部分之后實施所述溝道阻止區(qū)的形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中所述第一側(cè)壁絕緣膜和所述第二側(cè)壁絕緣膜各自包括選自HLD膜、TEOS膜、SOG膜以及BPSG膜中的至少之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中將具有比所述側(cè)壁絕緣膜更好的流動性的膜用作所述層間絕緣材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中BPSG膜用作所述層間絕緣膜。