[發明專利]大電流半導體器件的封裝工藝

在審

• 申請號: 201410119228.2
• 申請日: 2014-03-28
• 公開（公告）號: CN103887188A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 江炳煌
• 申請（專利權）人: 福建福順半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

技術領域

本發明涉及一種大電流半導體器件的封裝工藝。

背景技術

現今大電流的半導體封裝互連還是利用打線機將鋁線或鋁帶以超聲波打線方式將芯片的接觸鋁墊與銅框架的引腳壓黏形成導電通路，此法提供的導電電流需視鋁線的直徑大小或是鋁帶的寬窄來決定，但因鋁線/帶的打線工藝技術有其最大線徑與線寬的限制，有些產品需要并排的打上2~10條的鋁線/帶才能達到數十安培的大電流需求，在打線工藝上需要用到價格昂貴的超聲波打線/帶機，打線成本高，同時芯片本體也容易因芯片打點多而造成芯片內部電路的擠壓破壞而產生產品的最終可靠性問題。原工藝流程：框架點導電膠à上芯片à烘烤à超聲波焊鋁線/帶à塑封。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種大電流半導體器件的封裝工藝。

本發明采用以下方案實現：一種大電流半導體器件的封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S01：設計一承載框架和一與所述承載框架對應的接觸導電框架；

S02：在所述承載框架上先點錫膏，再上芯片，以利于將芯片黏貼于所述承載框架上；

S03：在芯片的鋁墊上點錫膏，再將所述接觸導電框架對位后壓平；

S04：將所述步驟S03中對位后的承載框架和接觸導電框架進行高溫回流焊；

S05：將所述步驟S04中過高溫回流焊的承載框架和接觸導電框架進行塑封。

在本發明一實施例中，所述承載框架包括一用于承載芯片的承載位。

在本發明一實施例中，所述承載框架還包括一個或多個有利于大電流通過的引腳。

在本發明一實施例中，所述引腳個數為2個。

在本發明一實施例中，所述接觸導電框架包括一用于與芯片的鋁墊接觸的觸片。

在本發明一實施例中，所述接觸導電框架還包括一個或多個有利于大電流通過的引腳。

在本發明一實施例中，所述引腳個數為2個。

本發明是利用預先設計好的一對上下對位的銅框架，互連是利用錫膏，沒有超聲波和擠壓的力道施加于芯片，因此不會傷到芯片里層的電路，不會有可靠性的問題，同時互連是用銅框架上的銅片，其寬度可依電流的大小設計，可耐大電流，工藝技術也不需昂貴的機臺設備，既可靠又經濟。

為使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下將通過具體實施例和相關附圖，對本發明作進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是本發明的工藝流程圖。

圖2是本發明的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明提供一種大電流半導體器件的封裝工藝，包括以下步驟：

S01：設計一承載框架和一與所述承載框架對應的接觸導電框架；

S02：在所述承載框架上先點錫膏，再上芯片，以利于將芯片黏貼于所述承載框架上；

S03：在芯片的鋁墊上點錫膏，再將所述接觸導電框架對位后壓平；

S04：將所述步驟S03中對位后的承載框架和接觸導電框架進行高溫回流焊；

S05：將所述步驟S04中過高溫回流焊的承載框架和接觸導電框架進行塑封，得到大電流半導體器件封裝結構。后工序與現有技術中的工序一樣。

優選的，所述承載框架包括一用于承載芯片的承載位；所述承載框架還包括一個或多個（優選為兩個）有利于大電流通過的引腳；所述接觸導電框架包括一用于與芯片的鋁墊接觸的觸片；所述接觸導電框架還包括一個或多個（優選為兩個）有利于大電流通過的引腳。如圖2所示，所述大電流半導體器件包括一封裝外殼（圖中未示出），所述封裝外殼內設有承載片1，所述承載片1包括承載位11和承載引腳12，所述承載位11通過下層錫膏4與芯片3緊密接觸，所述芯片3的鋁墊通過上層錫膏5與接觸導電片2緊密接觸，所述接觸導電片2包括用于與所述芯片的鋁墊接觸的觸片21和接觸導電引腳22。

上列較佳實施例，對本發明的目的、技術方案和優點進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。