[發(fā)明專利]大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410119228.2 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103887188A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 江炳煌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 福建福順半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/50 | 分類號(hào)： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學(xué)俊 |
| 地址： | 350001 福建省*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電流 半導(dǎo)體器件 封裝 工藝 | ||
1.一種大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
S01：設(shè)計(jì)一承載框架和一與所述承載框架對(duì)應(yīng)的接觸導(dǎo)電框架；
S02：在所述承載框架上先點(diǎn)錫膏，再上芯片，以利于將芯片黏貼于所述承載框架上；
S03：在芯片的鋁墊上點(diǎn)錫膏，再將所述接觸導(dǎo)電框架對(duì)位后壓平；
S04：將所述步驟S03中對(duì)位后的承載框架和接觸導(dǎo)電框架進(jìn)行高溫回流焊；
S05：將所述步驟S04中過(guò)高溫回流焊的承載框架和接觸導(dǎo)電框架進(jìn)行塑封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于：所述承載框架包括一用于承載芯片的承載位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于：所述承載框架還包括一個(gè)或多個(gè)有利于大電流通過(guò)的引腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于：所述引腳個(gè)數(shù)為2個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于：所述接觸導(dǎo)電框架包括一用于與芯片的鋁墊接觸的觸片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于：所述接觸導(dǎo)電框架還包括一個(gè)或多個(gè)有利于大電流通過(guò)的引腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大電流半導(dǎo)體器件的封裝工藝，其特征在于：所述引腳個(gè)數(shù)為2個(gè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
