[發明專利]一種天竺葵漂浮扦插的方法在審
| 申請號: | 201410117532.3 | 申請日: | 2014-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN103858739A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 曾建 | 申請(專利權)人: | 曾建 |
| 主分類號: | A01G31/00 | 分類號: | A01G31/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 天竺葵 漂浮 扦插 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種栽培方法,尤其涉及一種天竺葵漂浮扦插的方法。
背景技術
水培是采用現代生物工程技術,運用物理、化學、生物工程手段,對普通的植物進行馴化。水培蔬菜,是指大部分根系生長在營養液液層中,只通過營養液為其根部提供水分、養分、氧氣的有別于傳統土壤栽培形式下進行栽培的蔬菜。水培蔬菜生長周期短,富含多種人體所必需的維生素和礦物質。水培蔬菜以葉菜類最為常見,方便管理。栽培品種有生菜、木耳菜、空心菜、紫背菜、葉甜菜、苦苣、京水菜、西洋菜。除有些葉菜類蔬菜外,還有一些果菜類蔬菜也可以水培,如西紅柿、黃瓜、甜瓜、番茄等。
植物由陸生馴化為水生是通過用適應性強的植物品種改變生長環境,使之能在新的環境內正常生長發育;目前馴化的種類主要為花卉。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:本發明提供一種天竺葵漂浮扦插的方法,解決以往的方法所存在的成活率和保存率較低的問題。一種天竺葵漂浮扦插的方法,具體技術方案如下:
(1)構件漂浮池:營養液的高度為8~15cm;營養液的配制要求如下:P含量30~50mg/L,K含量20~30mg/L,Ca含量30~50mg/L,Mg含量15~30mg/L,B含量0.05~0.10mg/L,Zn含量0.10~0.15mg/L,Cu含量0.05~0.10mg/L,殺菌劑70~90mg/L,育苗期間營養液的氮素濃度前期100~125mg/kg,后期以125~200mg/kg;
(2)裝入基質:漂浮盤孔穴裝滿基質后刮平;基質按體積百分比由以下組分組成:草炭30~40%、腐殖土30~40%、珍珠巖15~25%、蛭石8~12%;裝盤時基質水分含量為45~50%;
(3)扦插:選擇保留健壯頂芽5-6片葉的插穗,插條切口陰干24小時后,在生長素溶液中浸泡1-1.5小時,將扦插苗去除最下一個節的葉片后插入漂浮盤的孔穴基質中,并用基質固定住,再將漂浮盤放入池中淺水育苗;
(4)管理:生長環境溫度控制在20~30℃,一般5~7天開始生根,生長15~17天后進行煉苗,煉苗2~3天,株高達10~15cm,有5~7苔葉時馴化完成;馴化過程中要注意害蟲的防治。
所述漂浮盤為模壓泡沫塑料制成的200孔型漂浮盤、162孔型漂浮盤或150孔型漂浮盤。
所述殺菌劑為甲霜靈錳鋅、甲基硫菌靈錳鋅或甲霜靈-福美雙可濕性粉劑。
所述殺菌劑為甲霜靈錳鋅、甲基硫菌靈錳鋅或甲霜靈-福美雙可濕性粉劑。
所述扦插苗為:選擇生長健壯的植株,剪取具有頂端生長點的且帶有3~4苔葉的枝條或無頂端生長點的帶有2~3苔葉的枝條,要求剪切口成一斜面。
所述淺水是指讓土壤水分保持在60%以下,即不粘手,手捏成團,丟地即散。
具體實施方式
一種天竺葵漂浮扦插的方法,具體技術方案如下:
(1)構件漂浮池:在塑料大棚內用長寬高分別為40cm、20cm、20cm的空心磚支砌成一定面積的馴化池,池底及四周鋪上厚0.1毫米黑色塑料膜。馴化池加入營養液,營養液的高度為8cm;營養液為在自來水中加入硝銨磷肥(30-4-0)、磷酸一銨(10-50-0)、硫酸鉀(0-0-50),硝酸鈣、硫酸鎂、硼酸、硫酸鋅、硫酸銅、甲霜靈錳鋅配制而成,營養液的N含量80mg/L,P含量30mg/L,K含量20mg/L,Ca含量30mg/L、Mg含量15mg/L,B含量0.05mg/L,Zn含量0.10mg/L,Cu含量0.05mg/L,甲霜靈錳鋅70mg/L,育苗期間營養液的氮素濃度前期100~125mg/kg,后期以125~200mg/kg;
(2)裝入基質:漂浮盤孔穴裝滿基質后刮平;基質按體積百分比由以下組分組成:草炭30~40%、腐殖土30~40%、珍珠巖15~25%、蛭石8~12%;裝盤時基質水分含量為45~50%;
(3)扦插:選擇保留健壯頂芽5-6片葉的插穗,插條切口陰干24小時后,在生長素溶液中浸泡1-1.5小時,將扦插苗去除最下一個節的葉片后插入漂浮盤的孔穴基質中,并用基質固定住,再將漂浮盤放入池中淺水育苗;
(4)管理:生長環境溫度控制在20~30℃,一般5~7天開始生根,生長15~17天后進行煉苗,煉苗2~3天,株高達10~15cm,有5~7苔葉時馴化完成;馴化過程中要注意害蟲的防治。
所述漂浮盤為模壓泡沫塑料制成的200孔型漂浮盤、162孔型漂浮盤或150孔型漂浮盤。
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