[發明專利]一種天竺葵漂浮扦插的方法

在審

• 申請號: 201410117532.3
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN103858739A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 曾建
• 申請（專利權）人: 曾建
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種天竺葵漂浮扦插的方法，具體技術方案如下：

(1)構件漂浮池：營養液的高度為8～15cm；營養液的配制要求如下：P含量30～50mg/L，K含量20～30mg/L，Ca含量30～50mg/L，Mg含量15～30mg/L，B含最0.05～0.10mg/L，Zn含量0.10～0.15mg/L，Cu含量0.05～0.10mg/L，殺菌劑70～90mg/L，育苗期間營養液的氮素濃度前期100～125mg/kg，后期以125～200mg/kg；

(2)裝入基質：漂浮盤孔穴裝滿基質后刮平；基質按體積百分比由以下組分組成：草炭30～40％、腐殖土30～40％、珍珠巖15～25％、蛭石8～12％；裝盤時基質水分含量為45～50％；

(3)扦插：選擇保留健壯頂芽5-6片葉的插穗，插條切口陰干24小時后，在生長素溶液中浸泡1-1.5小時，將扦插苗去除最下一個節的葉片后插入漂浮盤的孔穴基質中，并用基質固定住，再將漂浮盤放入池中淺水育苗；

(4)管理：生長環境溫度控制在20～30℃，一般5～7天開始生根，生長15～17天后進行煉苗，煉苗2～3天，株高達10～15cm，有5～7苔葉時馴化完成；馴化過程中要注意害蟲的防治。

2.根據權利要求1天竺葵漂浮扦插的方法，其特征為所述漂浮盤為模壓泡沫塑料制成的200孔型漂浮盤、162孔型漂浮盤或150孔型漂浮盤。

3.根據權利要求1天竺葵漂浮扦插的方法，其特征為所述殺菌劑為甲霜靈錳鋅、甲基硫菌靈錳鋅或甲霜靈-福美雙可濕性粉劑。

4.根據權利要求2天竺葵漂浮扦插的方法，其特征為所述殺菌劑為甲霜靈錳鋅、甲基硫菌靈錳鋅或甲霜靈-福美雙可濕性粉劑。

5.根據權利要求1-4其中的任意一項天竺葵漂浮扦插的方法，其特征為所述扦插苗為：選擇生長健壯的植株，剪取具有頂端生長點的且帶有3～4苔葉的枝條或無頂端生長點的帶有2～3苔葉的枝條，要求剪切口成一斜面。

6.根據權利要求1天竺葵漂浮扦插的方法，其特征為淺水是指讓土壤水分保持在60％以下，即不粘手，手捏成團，丟地即散。