[發(fā)明專利]一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410117033.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103911599A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王謙;董杰;楊曉東;何小強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 等離子體 增強(qiáng) 化學(xué) 沉積 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤指一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,PECVD)裝置的開(kāi)發(fā)和使用日益廣泛。目前,PECVD裝置主要在太陽(yáng)能電池行業(yè)、半導(dǎo)體器件及大規(guī)模集成電路的制造行業(yè)中被廣泛使用,PECVD裝置是利用強(qiáng)電場(chǎng)或磁場(chǎng)使所需的氣體源分子電離產(chǎn)生等離子體,由于等離子體化學(xué)活性強(qiáng)、容易發(fā)生反應(yīng),因此可以在基板上沉積出所期望的薄膜。
目前,現(xiàn)有的PECVD裝置的主要結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括密閉的反應(yīng)腔01,位于反應(yīng)腔01正上方的遮擋蓋02,位于遮擋蓋02之上且與遮擋蓋02構(gòu)成密閉空間的維護(hù)盒03,位于維護(hù)盒03的密閉空間內(nèi)的連接部04,位于維護(hù)盒03上方的反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿05,用于固定連接遮擋蓋02與連接部04和反應(yīng)腔01、貫穿遮擋蓋02和連接部04且旋擰于反應(yīng)腔01頂部的螺桿06,用于固定連接反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿05與連接部04、貫穿反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿05和維護(hù)盒03頂部且底端旋擰于連接部04內(nèi)的連接螺桿07,用于固定維護(hù)盒03與連接部04且密封維護(hù)盒03的第一螺母08,以及用于固定連接螺桿07與反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿05的第二螺母09。其中,反應(yīng)腔01中設(shè)置有相對(duì)設(shè)置的用于產(chǎn)生高能量的交頻電場(chǎng)的上部電極01a和下部電極01b。
上述結(jié)構(gòu)的PECVD裝置在工作時(shí),PECVD裝置所使用的高頻電(RF?Power)A通過(guò)位于維護(hù)盒03中的銅片(圖1中未示出)傳導(dǎo)到反應(yīng)腔中的上部電極01a,使上部電極01a與下部電極01b之間形成的高能量的交頻電場(chǎng),從而完成PECVD工藝。但是,在上述PECVD裝置在工作時(shí),用于密封維護(hù)盒03的過(guò)孔的第一螺母08時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)發(fā)生松動(dòng),從而在第一螺母08處會(huì)產(chǎn)生射頻泄露以及擊穿,由于圖1中虛線框所標(biāo)的區(qū)域?yàn)槿藛T經(jīng)常接觸的區(qū)域,因此如果第一螺母08處產(chǎn)生射頻泄露以及擊穿,很可能會(huì)造成人員受傷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置,用以避免維護(hù)盒的頂蓋發(fā)生射頻泄露和擊穿,從而避免了出現(xiàn)人員受傷害的危險(xiǎn)。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置,包括反應(yīng)腔、位于所述反應(yīng)腔上方且與所述反應(yīng)腔固定連接的遮擋蓋、位于所述遮擋蓋之上且與所述遮擋蓋構(gòu)成密閉空間的維護(hù)盒,位于所述密閉空間內(nèi)且與所述遮擋蓋固定連接的連接部,以及位于所述維護(hù)盒上方且通過(guò)連接桿與所述維護(hù)盒固定連接的反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿;
所述維護(hù)盒具體包括頂蓋以及與所述頂蓋固定連接的盒體;
與所述反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿固定的所述連接桿位于所述封閉空間之外且與所述維護(hù)盒的頂蓋固定連接;
所述維護(hù)盒的頂蓋與所述連接部固定連接。
本發(fā)明實(shí)施例提供的上述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置,包括反應(yīng)腔、位于反應(yīng)腔上方且與反應(yīng)腔固定連接的遮擋蓋、位于遮擋蓋之上且與遮擋蓋構(gòu)成密閉空間的維護(hù)盒,位于密閉空間內(nèi)且與遮擋蓋固定連接的連接部,以及位于維護(hù)盒上方且通過(guò)連接桿與維護(hù)盒固定連接的反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿;維護(hù)盒具體包括頂蓋以及與頂蓋固定連接的盒體;與反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿固定的連接桿位于封閉空間之外且與維護(hù)盒的頂蓋固定連接;維護(hù)盒的頂蓋與連接部固定連接。由于在該等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中,維護(hù)盒具體包括頂蓋以及與頂蓋固定連接的盒體,因此與反應(yīng)腔蓋加強(qiáng)桿固定的連接桿可以在維護(hù)盒的封閉空間之外與維護(hù)盒的頂蓋固定連接,從而可以避免在維護(hù)盒的頂部發(fā)生射頻泄露和擊穿的問(wèn)題,進(jìn)而避免出現(xiàn)人員受傷害的危險(xiǎn)。
較佳地,為了便于實(shí)施,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中,所述維護(hù)盒的頂蓋與所述連接桿通過(guò)螺紋連接的方式固定連接。
較佳地,為了便于實(shí)施,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中,所述維護(hù)盒的頂蓋背向所述連接部的一側(cè)具有凹型的螺紋口,所述連接桿的底端具有與所述螺紋口相匹配的螺紋,所述連接桿通過(guò)底端旋擰于所述螺紋口與所述維護(hù)盒固定。
較佳地,為了便于實(shí)施,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中,所述連接桿的底端具有凹型的螺紋口,所述維護(hù)盒的頂部背向所述連接部的一側(cè)具有延伸部,所述延伸部為具有與所述螺紋口相匹配的螺紋的螺桿,所述連接桿通過(guò)所述延伸部旋擰于所述螺紋口與所述維護(hù)盒固定。
較佳地,為了便于實(shí)施,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中,所述維護(hù)盒的頂蓋與所述連接部通過(guò)連接件固定連接。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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