[發明專利]顯示設備及其制造方法

有效

• 申請號: 201410116654.0
• 申請日: 2009-12-24
• 公開（公告）號: CN103872043B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 荒井康行
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L23/52;H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導體器件，包括：

晶體管，包括：

第一氧化物半導體層；

所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層和第三氧化物半導體層；

通過所述第二氧化物半導體層電連接于所述第一氧化物半導體層的源電極；

通過所述第三氧化物半導體層電連接于所述第一氧化物半導體層的漏電極；

在所述第一氧化物半導體層上的柵極絕緣膜；以及

在所述柵極絕緣膜上的柵電極；和

電容器，包括：

在所述第三氧化物半導體層上并與之接觸的第一電極，所述第一電極包括與所述晶體管的所述源電極和所述漏電極相同的材料；以及

所述第一電極上的第二電極，

其中，所述第一氧化物半導體層包括凹陷部分，

其中，所述柵電極與所述凹陷部分重迭，

其中，所述第一氧化物半導體層、所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層中的每一個包括銦、鎵和鋅，以及

其中，所述第一氧化物半導體層的電阻率大于所述第二氧化物半導體層的電阻率和所述第三氧化物半導體層的電阻率。

2.一種半導體器件，包括：

晶體管，包括：

第一氧化物半導體層；

所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層和第三氧化物半導體層；

通過所述第二氧化物半導體層電連接于所述第一氧化物半導體層的源電極；

通過所述第三氧化物半導體層電連接于所述第一氧化物半導體層的漏電極；

在所述第一氧化物半導體層上的柵極絕緣膜；以及

在所述柵極絕緣膜上的柵電極；和

電容器，包括：

在所述第三氧化物半導體層上并與之接觸的第一電極，所述第一電極包括與所述晶體管的所述源電極和所述漏電極相同的材料；以及

所述第一電極上的第二電極，

其中，所述源電極和所述漏電極設置在所述第一氧化物半導體層上，

其中，所述第一氧化物半導體層包括凹陷部分，

其中，所述凹陷部分的厚度小于所述第一氧化物半導體層的與所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層重迭的部分的厚度，

其中，所述柵電極與所述凹陷部分重迭，

其中，所述第一氧化物半導體層、所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層中的每一個包括銦、鎵和鋅，以及

其中，所述第一氧化物半導體層的電阻率大于所述第二氧化物半導體層的電阻率和所述第三氧化物半導體層的電阻率。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層的每一個與所述第一氧化物半導體層接觸。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第一氧化物半導體層的成分比例不同于所述第二氧化物半導體層的成分比例。

5.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一氧化物半導體層包括晶體結構。

6.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一氧化物半導體層具有錐形側表面。

7.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是顯示設備。

8.一種包括如權利要求1或2所述的半導體器件的電子設備，其還包括揚聲器、操作按鍵、和天線中的至少一個。