[發明專利]顯示設備及其制造方法

有效

• 申請號: 201410116654.0
• 申請日: 2009-12-24
• 公開（公告）號: CN103872043B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 荒井康行
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L23/52;H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

一種顯示設備包括：形成于基板之上且用作柵極電極的第一布線；形成于第一布線之上的柵極絕緣膜；設置在柵極絕緣膜之上的第二布線和電極層；以及形成于第二布線和電極層之間的高阻抗氧化物半導體層。在該結構中，第二布線是使用低阻抗氧化物半導體層和低阻抗氧化物半導體層上的導電層的層疊體而構成的，并且電極層是使用低阻抗氧化物半導體層和層疊的導電層的層疊體而構成的，使得用作低阻抗氧化物半導體層的像素電極的區域露出來。

本申請是申請日為2009年12月24日、申請號為200910262549.7、發明名稱為“顯示設備及其制造方法”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及顯示設備及其制造方法。另外，本發明涉及具有這種顯示設備的電子裝置。

背景技術

有許多種金屬氧化物，并且有各種各樣的金屬氧化物的應用。氧化銦是一種公知的材料，被用作液晶顯示器等所需的透明電極的材料。

一些金屬氧化物具有半導體特性。具有半導體特性的金屬氧化物是一種化合物半導體。這種化合物半導體是一種用兩種或更多種結合在一起的元素構成的半導體。通常，金屬氧化物變為絕緣體。然而，公知的是，依據金屬氧化物中所包括的多種元素的組合，金屬氧化物也能變為半導體。

已知，某些金屬氧化物具有半導體特性，例如，氧化鎢、氧化錫、氧化銦和氧化鋅。有人已經揭示了一種薄膜晶體管，其溝道形成區域是這種金屬氧化物所構成的透明半導體層（參照專利文獻1、2、3、4和非專利文獻1）。

除了上述單一成分的氧化物以外，多種成分的氧化物也是具有半導體特性的金屬氧化物之一。例如，包括同系列的InGaO₃(ZnO)_m(m:自然數)就是一種公知的材料（非專利文獻2、3、4）。

此外，已經證明，上述這種同系列的薄膜可以被用作薄膜晶體管的溝道層（參照專利文獻5和非專利文獻5、6）。

另外，專利文獻6、7揭示了多種技術，通過這些技術可利用氧化鋅或In-Ga-Zn-O基氧化物半導體來制造薄膜晶體管并將其用作利用金屬氧化物半導體的薄膜晶體管，并且這種薄膜晶體管被用作圖像顯示設備的開關元件等。

參考文獻

專利文獻

[專利文獻1]日文公布的專利申請No.S60-198861

[專利文獻2]PCT國際申請No.H11-505377的日文翻譯

[專利文獻3]日文公布的專利申請No.H8-264794

[專利文獻4]日文公布的專利申請No.2000-150900

[專利文獻5]日文公布的專利申請No.2004-103957

[專利文獻6]日文公布的專利申請No.2007-123861

[專利文獻7]日文公布的專利申請No.2007-96055

[非專利文獻]

[非專利文獻1]M.W.Prins,K.O.Grosse-Holz,G.Muller,J.F.M.Cillessen,J.B.Giesbers,R.P.Weening,和R.M.Wolf,A ferroelectric transparent thin-filmtransistor,Appl.Phys.Lett.,17June1996,Vol.68pp.3650-3652