[發明專利]一種電子元器件塑料部件中PBDEs的檢測方法無效
| 申請號: | 201410115257.1 | 申請日: | 2014-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN103852540A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 王生兵 | 申請(專利權)人: | 昆山洛丹倫生物科技有限公司 |
| 主分類號: | G01N30/02 | 分類號: | G01N30/02;G01N30/06 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟;侯桂麗 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州市昆山*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子元器件 塑料 部件 pbdes 檢測 方法 | ||
1.一種電子元器件塑料部件中PBDEs的檢測方法,包括如下步驟:
(a)將樣品處理成每片質量≤0.2g的顆粒;
(b)將步驟(a)處理后的樣品放入甲苯中進行索式萃取;樣品和甲苯的比例為1:30-50g/mL;
(c)萃取完成后,將溶液濃縮后用甲苯定容;所述濃縮后溶液的體積與樣品質量比為0.5-2:1mL/g,所述定容后的體積與樣品質量比為2-10:1mL/g;
(d)將步驟(c)定容后的溶液進行GC-M?S分析;
其中GC-MS的色譜柱為弱極性的;GC-MS分析時GC部分的程序控溫設置為:初始溫度90-110℃保持0.5-2min;以15-25℃/min升至320-340℃,保持4min以上。
2.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述樣品和甲苯的比例為1:40g/mL。
3.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述索式萃取的條件為:在溫度為400-500℃下,每小時回流4次以上,回流10h以上;
優選地,在溫度為450℃下,每小時回流6-8次,回流16-24h。
4.如權利要求1-3任一項所述的檢測方法,其特征在于,所述濃縮后溶液的體積與樣品質量比為1-1.5:1mL/g,所述定容后的體積與樣品質量比為5:1mL/g。
5.如權利要求1-4任一項所述的檢測方法,其特征在于,GC-MS的色譜柱為DB-5MS,長度為15m,內徑為0.25mm,厚度為0.1μm;
優選地,載氣為氦氣,流量為1.8-2.2mL/min,優選為2mL/min,采用分流進樣,注射溫度為310-330℃,優選為320℃。
6.如權利要求1-5任一項所述的檢測方法,其特征在于,GC-MS分析時GC部分的程序控溫設置為:初始溫度100.0℃保持1.00min;以20.0℃/min升至330℃,保持5.00min。
7.如權利要求1-6任一項所述的檢測方法,其特征在于,GC-MS分析時MS部分的條件設置為:接口溫度310-330℃,源溫240-260℃,掃描范圍50至1200amu;優選為接口溫度320℃,源溫250℃,掃描范圍50至1200amu。
8.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,包括如下步驟:
(a)將樣品處理成每片質量≤0.2g的顆粒;
(b)將步驟(a)處理后的樣品放入甲苯中進行索式萃取;樣品和甲苯的比例為1:30-50g/mL;所述索式萃取的條件為:在溫度為400-500℃下,每小時回流4次以上,回流10h以上;
(c)萃取完成后,將溶液濃縮后用甲苯定容;所述濃縮后溶液的體積與樣品質量比為0.5-2:1mL/g,所述定容后的體積與樣品質量比為2-10:1mL/g;
(d)將步驟(c)定容后的溶液進行GC-MS分析;GC-MS的色譜柱為弱極性的;GC-MS分析時的載氣為氦氣,流量為1.8-2.2mL/min,采用分流進樣,注射溫度為310-330℃;GC部分的程序控溫設置為:初始溫度90-110℃保持0.5-2min;以15-25℃/min升至320-340℃,保持4min以上;MS部分的條件設置為:接口溫度310-330℃,源溫240-260℃,掃描范圍50至1200amu。
9.如權利要求1所述的檢測方法,其特征在于,包括如下步驟:
(a)將樣品處理成每片質量≤0.1g的顆粒;
(b)將步驟(a)處理后的樣品放入甲苯中進行索式萃取;所述索式萃取的條件為:在溫度為450℃下,每小時回流6-8次,回流16-24h;
(c)萃取完成后,將溶液濃縮后用甲苯定容;所述濃縮后溶液的體積與樣品質量比為1-1.5:1mL/g,所述定容后的體積與樣品質量比為5:1mL/g;
(d)將步驟(c)定容后的溶液進行GC-MS分析;GC-MS的色譜柱為DB-5MS,長度為15m,內徑為0.25mm,厚度為0.1μm;GC-MS分析時的載氣為氦氣,流量為2mL/min,采用分流進樣,注射溫度為320℃;GC部分的程序控溫設置為:初始溫度100.0℃保持1.00min;以20.0℃/min升至330℃,保持5.00min;MS部分的條件設置為:接口溫度320℃,源溫250℃,掃描范圍50至1200amu。
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